[發(fā)明專利]晶體硅太陽能電池的制作方法及晶體硅太陽能電池在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910548287.4 | 申請日： | 2019-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN112216766A | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張洪超;童洪波;李華;劉繼宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068;C25D5/02;C25D5/50;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭棟梁 |
| 地址： | 225300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體 太陽能電池 制作方法 | ||
本申請公開了一種晶體硅太陽能電池的制作方法及晶體硅太陽能電池，方法包括以下步驟：提供電池前驅(qū)體；所述電池前驅(qū)體包括晶體硅太陽電池片基底、以及形成于所述晶體硅太陽電池片基底的正面和/或背面的介電層；所述介電層上開設(shè)有暴露出所述晶體硅太陽電池片基底的柵線電極電鍍區(qū)和電鍍觸點形成區(qū)；在所述電池前驅(qū)體的所述電鍍觸點形成區(qū)燒結(jié)形成電鍍觸點；對形成有所述電鍍觸點的電池前驅(qū)體進行電鍍，以在所述柵線電極電鍍區(qū)形成金屬電極層，電鍍時所述電鍍觸點與電鍍設(shè)備的負極電連接。該方案實現(xiàn)了無種子層電鍍。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及太陽能光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶體硅太陽能電池的制作方法及晶體硅太陽能電池。
背景技術(shù)
晶體硅太陽電池由于其能量轉(zhuǎn)換效率高，是目前市場占有率最高的太陽能電池。如何在提高晶體硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率的同時，降低其生產(chǎn)成本是業(yè)界面臨的最大難題。目前大規(guī)模的晶體硅太陽電池制造中，通常采用絲網(wǎng)印刷方式來實現(xiàn)晶體硅太陽電池的金屬化制程，但絲網(wǎng)印刷的精度有限，印刷的電極形貌高低起伏，印刷燒結(jié)后電極拓寬較大，造成所形成的柵極高寬比較低，從而造成晶體硅太陽電池受光面的有效受光面積減小，另外絲網(wǎng)印刷制成的晶體硅太陽電池的串聯(lián)電阻較大。
通過電鍍或光誘導(dǎo)電鍍可選擇性地形成晶體硅太陽電池的柵極，有效降低柵極遮光并有效降低柵極的電阻及晶體硅太陽電池的串聯(lián)電阻。目前利用化學(xué)鍍和光誘導(dǎo)電鍍技術(shù)取代傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷技術(shù)，通過電鍍鎳和銅形成均勻致密的鍍層并能夠得到好的效率。
現(xiàn)有電鍍技術(shù)形成晶體硅太陽電池柵線和電極需要先印刷或化學(xué)鍍上一層種子層，然后再通過光誘導(dǎo)電鍍或電鍍在種子層上電鍍形成電極，需要輔以光照條件和掩膜板，操作復(fù)雜，生產(chǎn)效率低。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種無需形成種子層即可電鍍形成金屬電極層的晶體硅太陽能電池的制作方法及晶體硅太陽能電池。
第一方面，本發(fā)明提供一種晶體硅太陽能電池的制作方法，包括以下步驟：
提供電池前驅(qū)體；所述電池前驅(qū)體包括晶體硅太陽電池片基底、以及形成于所述晶體硅太陽電池片基底的正面和/或背面的介電層；所述介電層上開設(shè)有暴露出所述晶體硅太陽電池片基底的柵線電極電鍍區(qū)和電鍍觸點形成區(qū)；
在所述電池前驅(qū)體的所述電鍍觸點形成區(qū)燒結(jié)形成電鍍觸點；
對形成有所述電鍍觸點的電池前驅(qū)體進行電鍍，以在所述柵線電極電鍍區(qū)形成金屬電極層，電鍍時所述電鍍觸點與電鍍設(shè)備的負極電連接。
進一步地，所述柵線電極電鍍區(qū)包括細柵電鍍區(qū)和主柵電鍍區(qū)，所述細柵電鍍區(qū)包括多條細柵成型開膜區(qū)，所述主柵電鍍區(qū)包括多條主柵成型開膜區(qū)，所述細柵成型開膜區(qū)與所述主柵成型開膜區(qū)相交。
進一步地，正面和背面的介電層上均形成有所述電鍍觸點，正面和背面的所述電鍍觸點與同一負極連接；
或，
正面和背面的介電層上均形成有所述電鍍觸點，正面和背面的所述電鍍觸點與不同的負極連接；
或，
正面和背面的介電層上均形成有所述電鍍觸點，正面和背面的所述電鍍觸點中的其中一個與負極連接，在電鍍一定時間后，所述負極轉(zhuǎn)連接至另一所述電鍍觸點，并在電鍍一定時間后，再轉(zhuǎn)連接至上一電鍍時段所連接的電鍍觸點，依此交替的連接正面和背面的所述電鍍觸點，直至電鍍結(jié)束。
進一步地，所述電鍍觸點形成區(qū)靠近所述晶體硅太陽電池片基底的邊緣。
進一步地，在所述電池前驅(qū)體的所述電鍍觸點燒結(jié)形成區(qū)形成電鍍觸點的步驟包括：
在所述電鍍觸點形成區(qū)印刷電極漿料，并燒結(jié)所述電極漿料形成所述電鍍觸點；
或，
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
