[發(fā)明專利]晶體硅太陽能電池的制作方法及晶體硅太陽能電池

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910548287.4
• 申請(qǐng)日: 2019-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN112216766A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張洪超;童洪波;李華;劉繼宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068;C25D5/02;C25D5/50;C25D7/12
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供電池前驅(qū)體；所述電池前驅(qū)體包括晶體硅太陽電池片基底、以及形成于所述晶體硅太陽電池片基底的正面和/或背面的介電層；所述介電層上開設(shè)有暴露出所述晶體硅太陽電池片基底的柵線電極電鍍區(qū)和電鍍觸點(diǎn)形成區(qū)；

在所述電池前驅(qū)體的所述電鍍觸點(diǎn)形成區(qū)燒結(jié)形成電鍍觸點(diǎn)；

對(duì)形成有所述電鍍觸點(diǎn)的電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍，以在所述柵線電極電鍍區(qū)形成金屬電極層，電鍍時(shí)所述電鍍觸點(diǎn)與電鍍?cè)O(shè)備的負(fù)極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述柵線電極電鍍區(qū)包括細(xì)柵電鍍區(qū)和主柵電鍍區(qū)，所述細(xì)柵電鍍區(qū)包括多條細(xì)柵成型開膜區(qū)，所述主柵電鍍區(qū)包括多條主柵成型開膜區(qū)，所述細(xì)柵成型開膜區(qū)與所述主柵成型開膜區(qū)相交。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，在正面和背面的介電層上均形成有所述電鍍觸點(diǎn)；

在電鍍時(shí)，正面和背面的所述電鍍觸點(diǎn)與同一負(fù)極連接；

或，

在電鍍時(shí)，正面和背面的所述電鍍觸點(diǎn)與不同的負(fù)極連接；

或，

在電鍍時(shí)，正面和背面的所述電鍍觸點(diǎn)中的其中一個(gè)與負(fù)極連接，在電鍍一定時(shí)間后，所述負(fù)極轉(zhuǎn)連接至另一所述電鍍觸點(diǎn)，并在電鍍另一定時(shí)間后，再轉(zhuǎn)連接至上一電鍍時(shí)段所連接的電鍍觸點(diǎn)，依此交替的連接正面和背面的所述電鍍觸點(diǎn)，直至電鍍結(jié)束。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述電鍍觸點(diǎn)形成區(qū)靠近所述晶體硅太陽電池片基底的邊緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述電池前驅(qū)體的所述電鍍觸點(diǎn)形成區(qū)燒結(jié)形成電鍍觸點(diǎn)的步驟包括：

在所述電鍍觸點(diǎn)形成區(qū)印刷電極漿料，并燒結(jié)所述電極漿料形成所述電鍍觸點(diǎn)；

或，

在所述電鍍觸點(diǎn)形成區(qū)鋪設(shè)金屬粉末或合金粉末，并通過激光燒結(jié)形成所述電鍍觸點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，電鍍時(shí)電鍍液的溫度為20～100℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述金屬電極層包括Ni層/Ag層、Co層/Ag層、Ni層/Cu層、Co層/Cu層、Ni層/Cu層/Sn層、Co層/Cu層/Sn層、Ni層/Cu層/Ag層和Co層/Cu層/Ag層電極中的任意一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括在電鍍之后，

對(duì)形成所述金屬電極層的所述晶體硅太陽電池片基底進(jìn)行退火處理，使所述金屬電極層與所述晶體硅太陽電池片基底形成歐姆接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為200℃～900℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，

所述退火處理包括前后兩次退火，后一次退火的退火溫度高于前一次退火的退火溫度。

11.一種晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述晶體硅太陽能電池采用權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述方法制備獲得。