[發明專利]形成半導體結構的方法在審
| 申請號： | 201910543415.6 | 申請日： | 2019-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN110660671A | 公開（公告）日： | 2020-01-07 |
| 發明（設計）人： | 簡昭欣;周鈺哲;蔡健偉;易琴雅 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 開關柵極 非揮發性記憶體 編程柵極 儲存元件 可透過 感測 電荷捕獲介電質 鰭式場效晶體管 半導體結構 控制柵極 通道電流 柵極結構 電荷 對齊 氮化硅 非對稱 電性 可用 鰭片 編程 捕獲 儲存 響應 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成半導體結構的方法，其特征在于，包含：
形成從一基板延伸的一鰭片，其中該鰭片沿著該鰭片的多個相對側具有多個隔離區；
于該鰭片中形成一源極區與一漏極區；
于該鰭片的一第一側壁上形成一編程柵極結構(programming gate structure)；以及
于與該編程柵極結構相對的該鰭片的一第二側壁上形成一開關柵極結構(switchinggate structure)，其中該編程柵極結構與該開關柵極結構是沿著插入于該源極區與該漏極區之間的該鰭片的一部分。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
