[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號: | 201910542833.3 | 申請日: | 2019-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN110676270A | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 奈良修平;關根裕之;石野隆行;田村文識;畠澤良和 | 申請(專利權)人: | 天馬日本株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司 | 代理人: | 黃志華;何月華 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換元件 有機膜 第一端部 開關元件 覆蓋 保護膜 圖像傳感器 直接覆蓋 基板 | ||
本發明公開了一種圖像傳感器,其包括:開關元件,所述開關元件設置在基板上;光電轉換元件,所述光電轉換元件連接到所述開關元件;第一保護膜,所述第一保護膜直接覆蓋所述光電轉換元件;第一有機膜,所述第一有機膜形成在所述開關元件上方的層處,所述第一有機膜與所述第一保護膜接觸,其中,所述第一有機膜覆蓋所述光電轉換元件的第一端部,所述第一端部為所述光電轉換元件的端部的至少一部分,其中,所述第一有機膜具有在所述第一有機膜的一端的第一覆蓋部,其中,所述第一覆蓋部覆蓋所述第一端部,其中,所述第一覆蓋部向下朝向所述光電轉換元件傾斜,并且所述第一有機膜僅覆蓋所述光電轉換元件的所述第一端部。
技術領域
本發明涉及一種圖像傳感器。
背景技術
平板探測器(FPD)廣泛用于間接型X射線圖像捕獲裝置。FPD包括稱為閃爍體的X射線-光轉換膜和光電二極管陣列。光電二極管陣列是下述裝置:在該裝置中,均包括彼此連接的薄膜晶體管(或TFT)和光電二極管的光接收元件以矩陣狀設置。在光電二極管陣列中,光在光電二極管中被轉換成電,并且通過TFT從信號線讀出所獲得的電荷以產生圖像。
專利文獻1(WO2016/002563A)公開了一種X射線圖像捕獲裝置。在專利文獻1的X射線圖像捕獲裝置中,第二絕緣膜形成在第一絕緣膜以及包括光電二極管和電極的轉換元件上。在專利文獻1的圖像捕獲面板中,第二絕緣膜由SiNxOy表示的材料形成,其中x大于零并且y大于或等于零。
在開發具有高圖像質量的FPD的努力中,強烈需要一種改善圖像清晰度的技術。然而,利用專利文獻1中公開的技術,因為來自閃爍體的光信號的行進方向不一定垂直于光接收表面,所以光可能進入除了要接收光的像素之外的其它像素(例如,周圍像素)。該光成為周圍像素的噪聲光,并且使得由圖像傳感器獲得的圖像模糊,或者換句話說,圖像的清晰度劣化。
在專利文獻1的技術中,即使當X射線垂直入射在閃爍體上時,由于轉換的光必須行進一定的光學距離以到達光接收表面(確切地說,專利文獻1的圖像捕獲面板中的光電二極管的非晶硅層),光信號被散射,并且光信號的一部分進入周圍像素。因此,為了獲得更清晰的圖像,必須防止噪聲光從周圍像素進入各個像素。
發明內容
本發明的目的是獲得更清晰的圖像。
應理解的是,前面的概述和以下的詳述都是示例性和說明性的,并不是對本發明的限制。
本發明的一個方面采用以下構造以解決上述問題。一種圖像傳感器,包括:開關元件,所述開關元件設置在基板上;光電轉換元件,所述光電轉換元件連接到所述開關元件;第一保護膜,所述第一保護膜直接覆蓋所述光電轉換元件;第一有機膜,所述第一有機膜形成在所述開關元件上方的層處,所述第一有機膜與所述第一保護膜接觸,其中所述第一有機膜覆蓋所述光電轉換元件的第一端部,所述第一端部為所述光電轉換元件的端部的至少一部分,其中所述第一有機膜具有在所述第一有機膜的端部處的第一覆蓋部,其中所述第一覆蓋部覆蓋所述第一端部,其中所述第一覆蓋部向下朝向所述光電轉換元件傾斜,并且所述第一有機膜僅覆蓋所述光電轉換元件的所述第一端部。
本發明的一個方面可以獲得更清晰的圖像。
附圖說明
通過以下結合附圖的描述可以理解本發明,其中:
圖1是示出圖像傳感器的結構示例的框圖;
圖2是示出可以應用于圖像傳感器的像素的電路結構示例的電路圖;
圖3是示出光電二極管陣列的頂表面的示例的示意圖;
圖4是示出沿圖3的線A-A’剖開的光電二極管陣列的橫截面的示例的示意圖;
圖5是示出圖4的部分A的示例的局部放大視圖;
圖6是示出圖3的部分B的示例的局部放大視圖(不包括第一有機膜);
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





