[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號: | 201910542833.3 | 申請日: | 2019-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN110676270A | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 奈良修平;關根裕之;石野隆行;田村文識;畠澤良和 | 申請(專利權)人: | 天馬日本株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司 | 代理人: | 黃志華;何月華 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換元件 有機膜 第一端部 開關元件 覆蓋 保護膜 圖像傳感器 直接覆蓋 基板 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
開關元件,所述開關元件設置在基板上;
光電轉換元件,所述光電轉換元件連接到所述開關元件;
第一保護膜,所述第一保護膜直接覆蓋所述光電轉換元件;以及
第一有機膜,所述第一有機膜形成于所述開關元件上方的層處,所述第一有機膜與所述第一保護膜接觸,
其中,所述第一有機膜覆蓋所述光電轉換元件的第一端部,所述第一端部是所述光電轉換元件的端部的至少一部分,
其中,所述第一有機膜具有在所述第一有機膜的一端的第一覆蓋部,
其中,所述第一覆蓋部覆蓋所述第一端部,
其中,所述第一覆蓋部向下朝向所述光電轉換元件傾斜,并且
其中,所述第一有機膜僅覆蓋所述光電轉換元件的所述第一端部。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一覆蓋部的折射率高于直接形成在所述第一覆蓋部上的介質的折射率。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括直接覆蓋所述第一有機膜的第二保護膜,其中,所述第二保護膜具有直接覆蓋所述第一覆蓋部的直接覆蓋部,并且
其中,所述直接覆蓋部向下朝向所述光電轉換元件傾斜。
4.根據權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述第二保護膜的折射率高于直接形成在所述第二保護膜上的介質的折射率。
5.根據權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述第二保護膜直接覆蓋所述第一保護膜,并且
其中,所述第一保護膜和所述第二保護膜均為無機膜。
6.根據權利要求3所述的圖像傳感器,還包括以矩陣狀設置的多個像素,
其中,所述多個像素均包括所述開關元件和所述光電轉換元件,
其中,所述第一有機膜設置在所述光電轉換元件之間以及最外側光電轉換元件的外側,所述最外側光電轉換元件是位于所述多個像素中最外側位置的光電轉換元件,
其中,所述第一有機膜具有位于所述最外側光電轉換元件外側的端部,并且
其中,所述第一有機膜的所述端部直接被所述第二保護膜覆蓋。
7.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括第三保護膜,所述第三保護膜直接覆蓋形成在所述第一有機膜上方的層處的布線。
8.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括位于所述第一有機膜上方的層處的第二有機膜。
9.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括多個所述光電轉換元件以及彼此分開的多個所述第一保護膜,
其中,所述多個第一保護膜相應地直接覆蓋所述多個光電轉換元件。
10.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括多個所述光電轉換元件,
其中,具有多個彼此連接的部分的所述第一保護膜直接覆蓋所述多個光電轉換元件。
11.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括以矩陣狀設置的多個像素,
其中,所述多個像素均包括所述開關元件和所述光電轉換元件,
其中,所述圖像傳感器包括:
柵極線和信號線,所述柵極線和所述信號線連接到所述開關元件;
掃描單元,所述掃描單元選擇由沿行方向排列的像素構成的像素行,并將輸出信號輸出到所選擇的像素行的像素,以使所述開關元件接通;以及
檢測單元,所述檢測單元通過所述信號線和接通的所述開關元件檢測來自所選擇的像素行的所述像素的光電轉換元件的信號,
其中,所述信號線通過所述第一有機膜與所述光電轉換元件分隔開。
12.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括覆蓋所述開關元件的開關元件保護膜,
其中,所述光電轉換元件和所述第一有機膜設置在所述開關元件保護膜上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





