[發(fā)明專利]一種測試結構及測試結構的制備方法

有效

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• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN112198412B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設計）人: 邢汝博
• 申請（專利權）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R1/067
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發(fā)明實施例涉及顯示技術領域，公開了一種測試結構及測試結構的制備方法，測試結構包括：基板、位于基板上的形變層、位于形變層上的第一電極層及電接觸結構；第一電極層通電時，形變層朝遠離基板表面的方向凸起，以使所述電接觸結構朝遠離基板表面的方向移動。本發(fā)明提供的測試結構及測試結構的制備方法能夠實現(xiàn)待測芯片電性測試的同時，加工工藝簡單。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及顯示技術領域，特別涉及一種測試結構及測試結構的制備方法。

背景技術

在Micro-LED顯示面板加工領域，批量轉移技術可實現(xiàn)大批量的Micro-LED芯片到驅動背板上的高速轉移，是降低Micro-LED顯示屏體加工成本和提升工藝良率的關鍵技術。在實施批量轉移前，需要對Micro-LED芯片陣列進行測試，并采用Mapping的方式標定出電學性能良好的芯片。換句話說，批量轉移技術需要選擇電學性能良好的Micro-LED芯片進行批量轉移，這是保證批量轉移實施有效性的前提。現(xiàn)有技術中通過LED芯片測試探針對Micro-LED芯片進行測試。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術中至少存在如下問題：LED芯片測試探針難以與Micro-LED芯片上的電極良好接觸，從而難以實現(xiàn)Micro-LED芯片的電性測試。

發(fā)明內容

本發(fā)明實施方式的目的在于提供一種測試結構及測試結構的制備方法，其能夠實現(xiàn)待測芯片電性測試的同時，加工工藝簡單。

為解決上述技術問題，本發(fā)明的實施方式提供了一種測試結構，包括：基板、位于所述基板上的形變層、位于所述形變層上的第一電極層及電接觸結構；所述第一電極層通電時，所述形變層朝遠離所述基板表面的方向凸起，以使所述電接觸結構朝遠離所述基板表面的方向移動。

本發(fā)明的實施方式還提供了一種測試結構的制備方法，包括：提供基板；在基板表面形成形變層；在形變層上形成電極層；在電極層上形成電接觸結構。

本發(fā)明的實施方式相對于現(xiàn)有技術而言，通過在基板上形成形變層，在形變層上形成電第一極層及電接觸結構，使得第一電極層通電時，形變層能夠向遠離基板表面的方向凸起，從而使位于形變層上的電接觸結構朝遠離基板表面的方向移動，也就是說，在進行待測芯片電性測試時，與待測芯片電極接觸的電接觸結構能夠朝靠近待測芯片電極的方向移動，從而使電接觸結構能夠與待測芯片的電極良好接觸，進而實現(xiàn)待測芯片的電性測試；又由于該測試結構只包括一層電極層，結構并不復雜，從而使得測試結構的加工工藝簡單。

另外，所述形變層為壓電膜。

另外，所述基板上設有貫穿所述基板的通孔，所述通孔正對所述電接觸結構。由于壓電膜的厚度非常薄，若完全粘貼在基板上，則在電極層通電時產生形變較為困難，因此，通過在基板上設置正對電接觸結構的通孔，使得電接觸結構下面的壓電膜與基板之間形成了一個類“懸臂梁”的結構，從而使得壓電膜需要形變的區(qū)域沒有基板的阻礙，在電極層通電時，電接觸結構下面的壓電膜能夠發(fā)生形變，從而使電接觸結構能夠向遠離基板表面的方向移動，提高了測試結構的可靠性。

另外，所述基板上設有盲孔，所述盲孔正對所述電接觸結構。

另外，還包括第二電極層，所述第二電極層位于所述形變層上、所述電接觸結構位于所述第二電極層上，所述第一電極層與所述第二電極層同層間隔設置。

另外，所述第一電極層包括兩個第一梳齒部，兩個所述第一梳齒部均位于所述形變層上，兩個所述第一梳齒部通電時，所述形變層朝遠離所述基板表面的方向凸起。

另外，所述第二電極層包括第二梳齒部，所述第二梳齒部位于兩個所述第一梳齒部之間，所述電接觸結構位于所述第二梳齒部上。

另外，所述第二梳齒部到兩個所述第一梳齒部之間的距離相等。通過此種方式，使得第二梳齒部處于形變層的中心位置，從而使位于第二梳齒部上的電接觸結構在形變層產生形變時位于凸起的最高點處，進而使電接觸結構更能與待測芯片的電極良好接觸。