[發明專利]一種測試結構及測試結構的制備方法有效
| 申請號: | 201910542832.9 | 申請日: | 2019-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN112198412B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 邢汝博 | 申請(專利權)人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28;G01R1/067 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 測試 結構 制備 方法 | ||
1.一種測試結構,其特征在于,包括:
基板、位于所述基板上的形變層、位于所述形變層上的第一電極層及電接觸結構;所述第一電極層通電時,所述形變層朝遠離所述基板表面的方向凸起,以使所述電接觸結構朝遠離所述基板表面的方向移動;
還包括第二電極層,所述第二電極層位于所述形變層上、所述電接觸結構位于所述第二電極層上,所述第一電極層與所述第二電極層同層間隔設置。
2.根據權利要求1所述的測試結構,其特征在于,所述形變層為壓電膜。
3.根據權利要求2所述的測試結構,其特征在于,所述基板上設有貫穿所述基板的通孔,所述通孔正對所述電接觸結構。
4.根據權利要求2所述的測試結構,其特征在于,所述基板遠離所述形變層的一側上設有盲孔,所述盲孔正對所述電接觸結構。
5.根據權利要求1所述的測試結構,其特征在于,所述第一電極層包括兩個第一梳齒部,兩個所述第一梳齒部均位于所述形變層上,兩個所述第一梳齒部通電時,所述形變層朝遠離所述基板表面的方向凸起。
6.根據權利要求5所述的測試結構,其特征在于,所述第二電極層包括第二梳齒部,所述第二梳齒部位于兩個所述第一梳齒部之間,所述電接觸結構位于所述第二梳齒部上;
優選地,所述第二梳齒部與兩個所述第一梳齒部之間的間距相等。
7.根據權利要求1所述的測試結構,其特征在于,所述形變層為N個,所述第一電極層包括2N個第一梳齒部,所述第二電極層包括N個第二梳齒部,每個所述形變層上均有兩個所述第一梳齒部及位于兩個所述第一梳齒部之間的一個所述第二梳齒部,所述第一梳齒部通電時,所述形變層朝遠離所述基板表面的方向凸起,所述電接觸結構位于所述第二梳齒部上,其中,N為大于1的整數。
8.根據權利要求1所述的測試結構,其特征在于,所述電接觸結構為金屬凸起,所述金屬凸起遠離所述基板一側的表面高于所述第一電極層遠離所述基板一側的表面。
9.一種如權利要求1所述的測試結構的制備方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在基板表面形成形變層;
在形變層上形成電極層;
在電極層上形成電接觸結構。
10.根據權利要求9所述的測試結構的制備方法,其特征在于,在所述在電極層上形成電接觸結構之后,還包括:
在所述基板正對所述電接觸結構的位置開設通孔;
所述在電極層上形成電接觸結構,具體包括:
在所述電極層表面涂覆圖形化的光刻膠膜;
對所述光刻膠膜進行曝光處理;
對曝光后的光刻膠膜進行顯影處理;
在所述基板上沉積形成金屬層;
剝離處理所述基板,以形成所述電接觸結構。
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