[發明專利]光罩和顯示面板在審
| 申請號: | 201910542496.8 | 申請日: | 2019-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN112114494A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 王平;謝邦星;許建勇 | 申請(專利權)人: | 南昌歐菲觸控科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76;G03F1/68;G03F7/20 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 330096 江西省南昌市南*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本申請涉及顯示領域,一種用于圖案化涂布負性光阻劑基板的光罩。所述光罩包括圖案區和光潔區,所述圖案區靠近所述光潔區一側設有走線區,對應到所述基板的綁定區。所述走線區內設多根并排的走線,對應到所述基板的金屬線。所述光罩上每一根所述走線與所述光潔區之間均為間隙設置,且所述走線與所述光潔區之間還連接有導通段,用于平衡所述第一端與所述光潔區之間的電勢。所述導通段還通過寬度設定來保證光罩在照射過程中,其對應所述基板下方的材料經過光線衍射而被照射,后續刻蝕過程中材料得以保留。本申請光罩克服了走線區內走線的ESD損害,由本申請光罩制作的基板也可以克服綁定區內金屬線的ESD損害。
技術領域
本申請涉及顯示面板領域,尤其涉及一種用于制備基板的光罩。
背景技術
現今的終端領域,為了追求窄邊框的效果,終端顯示面板上的金屬走線需要更窄的線寬和間距。但在顯示面板的制造過程中,隨著金屬走線的變窄,其制造工藝也更精細,由此帶來的加工難度會更大。例如,在顯示面板的基板進行光刻制造時,用于圖案化的光罩需要對應更窄的金屬走線,加劇了光罩以及基板受到靜電損害(ESD)的可能性。
負性光阻劑是光刻制程中常用的材料,基板先覆蓋光罩進行照射,然后通過負性光阻劑將基板上未被照射的部位通過顯影刻蝕去除。為了防止基板材料在制程過程中被ESD擊傷,通常將基板材料上所有的金屬線在綁定區連成一體,形成等勢體。但是,這樣的設置會導致光罩上對應綁定區的金屬形成一個孤立的單體。在生產過程中,光罩上的金屬與光罩外圍無圖案的光潔區金屬之間因為靜電而形成電勢差,較窄的金屬線容易因為電勢差產生的放電而脫落,造成光罩和基板材料的報廢,嚴重增加生產成本。
發明內容
本申請提出一種光罩,以克服光罩金屬走線與光潔區的電勢差缺陷。本申請所述光罩包括如下技術方案:
一種光罩,所述光罩用于圖案化涂布負性光阻劑的基板,所述光罩包括均由導電材料制備的圖案區和圍設于所述圖案區外圍的光潔區,所述圖案區靠近所述光潔區一側設有走線區,所述走線區內設多根并排的走線,所述走線區用于制備所述基板的綁定區,所述走線用于制備所述綁定區內的金屬線,每一根所述走線均包括靠近所述光潔區的第一端,所述第一端與所述光潔區之間間隙設置,每一個所述第一端與所述光潔區之間還連接有導通段,所述導通段用于平衡所述第一端與所述光潔區之間的電勢,所述導通段的寬度小于等于5μm,且大于等于1μm。
本申請所述光罩,利用走線區對應到基板上的綁定區,并利用走線區內的多根并排走線來對應綁定區內的金屬線,使得所述光罩可以通過光刻制程來對基板進行圖案化,形成綁定區和金屬線。然后,本申請光罩通過連接于間隙設置的每根走線第一端和光潔區之間的導通段,來導通走線和光潔區,從而消除了每一根走線與光潔區之間的電勢差。而導通段因為寬度限制,在起到電勢平衡的同時,還利用光的衍射原理,使得導通段下方的基板材料同樣可以受到光線照射,從而使得該部分材料在后續負性光阻劑的刻蝕過程中得到保留。被保留的材料保證了各根金屬線在第一端的位置連為一體,同樣可以達到類似平衡電勢的作用,基板材料也免于受到ESD損害。由此,本申請光罩可以在避免自身受到ESD損害的同時,保護基板材料也免受ESD損害,提高了光罩的使用壽命,同時提高了基板的良品率,節約制造成本。
其中,所述導通段至少包括一處彎折段。彎折段可以延阻負性光阻劑的流通,保護基板上材料不被刻蝕去除。
其中,所述彎折段的輪廓形狀為圓滑曲線,以避免所述導通段上出現應力集中點,提高導通段結構強度。
其中,所述導通段包括第一彎折段和第二彎折段,所述第一彎折段與所述第二彎折段連接且彎折方向相反。方向相反的兩處彎折段設置可以進一步延阻負性光阻劑的流通。
其中,所述第一端與所述光潔區之間并排設置有多個所述導通段。多個導通段可以實現更好的電勢平衡,提高可靠性。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





