[發明專利]一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法

在審

• 申請號: 201910542292.4
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN112111727A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 李強;于軍;王朝旺;張東東
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C30B25/02
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 張文杰

1.一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)準備工作及初步檢查；

2)上蓋清洗；

3)高溫去除上蓋上的水氧；

4)結束操作。

2.根據權利要求1所述的一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)準備工作及初步檢查：準備上蓋及各裝置組件，檢查裝置運行情況；

2)上蓋清洗：

a)配制清洗劑，對上蓋在生長過程中形成的砷、磷材料進行腐蝕清洗；其中清洗劑包括氨水和雙氧水，所述氨水和雙氧水的體積比為1：1；

b)再用足量去離子水對上蓋進行清洗；

3)高溫去除上蓋上的水氧：

a)取步驟2)清洗后的上蓋，將上蓋管路以及不耐高溫的備件拆除，并用工具對管路進行保護；

b)取出烘箱，并對烘箱內部進行清理；

c)取出專用不銹鋼支架，進行清潔，再將清潔后的專用不銹鋼支架放置在烘箱內，將上蓋放置在專用不銹鋼支架上，放置過程中注意對上蓋密封法蘭面的保護，防止造成密封面的破壞；

d)調節烘箱溫度，進行烘烤；

e)烘烤完成后，用無水乙醇對上蓋進行擦拭，再將上蓋裝回反應室；

f)準備外接循環器，調節外接循環器的水溫，并將外接循環器循環水接在反應室中原有循環水管路上；

g)再對反應室進行檢漏，檢漏后將反應室中原有循環水管路接回系統中，反應室抽真空處理，保持低壓環境，去除水氧；

4)結束操作。

3.根據權利要求1所述的一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)準備工作及初步檢查：準備上蓋及各裝置組件，檢查裝置運行情況；

2)上蓋清洗：

a)配制清洗劑，對上蓋在生長過程中形成的砷磷材料進行腐蝕清洗；其中清洗劑包括氨水和雙氧水，所述氨水和雙氧水的體積比為1：1；

b)再用足量去離子水對上蓋進行清洗；

3)高溫去除上蓋上的水氧：

a)取步驟2)清洗后的上蓋，將上蓋管路以及不耐高溫的備件拆除，并用工具對管路進行保護；

b)取出烘箱，并對烘箱內部進行清理；

c)取出專用不銹鋼支架，進行清潔，再將清潔后的專用不銹鋼支架放置在烘箱內，將上蓋放置在專用不銹鋼支架上，放置過程中注意對上蓋密封法蘭面的保護，防止造成密封面的破壞；

d)調節烘箱溫度，進行烘烤；

e)烘烤完成后，用無水乙醇對上蓋進行擦拭，再將上蓋裝回反應室；

f)再對反應室進行檢漏，檢漏后將反應室中原有循環水管路接回系統中，反應室抽真空處理，保持低壓環境，去除水氧；

4)結束操作。

4.根據權利要求1所述的一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)準備工作及初步檢查：準備上蓋及各裝置組件，檢查裝置運行情況；

2)上蓋清洗：

a)配制清洗劑，對上蓋在生長過程中形成的砷磷材料進行腐蝕清洗；其中清洗劑包括氨水和雙氧水，所述氨水和雙氧水的體積比為1：1；

b)再用足量去離子水對上蓋進行清洗；

3)高溫去除上蓋上的水氧：

a)取步驟2)清洗后的上蓋，再用無水乙醇擦拭清理上蓋后，將上蓋裝回反應室；

b)準備外接循環器，調節外接循環器的水溫，并將外接循環器循環水接在反應室中原有循環水管路上；

c)再對反應室進行檢漏，檢漏后將反應室中原有循環水管路接回系統中，反應室抽真空處理，保持低壓環境，去除水氧；

4)結束操作。

5.根據權利要求2-3中任一項所述的一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，其特征在于：所述步驟3)中，烘箱的溫度為100-150℃，烘烤時間為1-2h。

6.根據權利要求2-3中任一項所述的一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，其特征在于：所述步驟3)中，烘烤時上蓋處于氮氣吹掃環境，加速烘烤環境的氣體流動，烘烤時上蓋處于低壓環境。

7.根據權利要求3-4中任一項所述的一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，其特征在于：所述步驟3)中，外接循環器的水溫為40-50℃。