[發明專利]一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法

在審

• 申請號: 201910542292.4
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN112111727A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 李強;于軍;王朝旺;張東東
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C30B25/02
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 張文杰

本發明公開了一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法，方案一中利用烘箱對上蓋進行烘烤，該方案水氧的去除效率高，時間短，但由于烘箱屬于外部設備，在操作時容易引入其他雜質；方案二中利用外接循環水管路高溫水循環，去除水氧的工作效率相比較方案一來說較低，但由于高溫水在上蓋、下蓋內循環流動，反應室內的水氧去除較為徹底；方案三將方案一、方案二結合，不僅有效提高了反應室內的水氧去除效率，也能夠保證反應室內的水氧被有效徹底的清除；本技術方案大大加速了在維護過程中殘余的水氧的去除，同時加速了反應室腔體生長環境的恢復，提高了設備利用率，間接提高設備產量，具有較好的實用性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體是一種MOCVD上蓋維護后快速恢復的方法。

背景技術

伴隨著現代社會的發展，能源與環境問題越來越成為我們現在要面對的問題的重中之重，可持續發展與生態環境的保護日益成為我們工作關注的重點。如何在不耽誤現有生產力的基礎上，找到更好的能源替代者，或者減少能源消耗，已經逐漸的成為了我們工作的重點。

于是在這種情況下，基于LED的特性，它得到了廣泛的應用。LED的內在特征決定了它是最理想的光源去代替傳統的光源，以達到我們節能降耗的目的。

LED有著廣泛的用途以及不可替代的優勢：一、體積小，LED基本上都是一塊很小的晶片被封裝在環氧樹脂里面，所以它非常的小，非常的輕；二、耗電量低，LED耗電相當低，一般來說LED的工作電壓是2-3.6V。工作電流是0.02-0.03A。這就是說：它消耗的電能不超過0.1W，這就為我們在能源方面的工作提出了指導性的意義；三、使用壽命長，LED光源固體冷光源，環氧樹脂封裝，燈體內也沒有松動的部分，不存在燈絲發光易燒、熱沉積、光衰等缺點，在恰當的電流和電壓下，使用壽命可達6萬到10萬小時，比傳統光源壽命長10倍以上；四、高亮度、低熱量，LED使用冷發光技術，發熱量比普通照明燈具低很多；五、環保，環保效益更佳，光譜中沒有紫外線和紅外線，既沒有熱量，也沒有輻射，眩光小，而且廢棄物可回收，沒有污染不含汞元素，冷光源，可以安全觸摸，屬于典型的綠色照明光源LED是由無毒的材料作成，不像熒光燈含水銀會造成污染，同時LED也可以回收再利用；六、堅固耐用，LED是被完全的封裝在環氧樹脂里面，它比燈泡和熒光燈管都堅固。燈體內也沒有松動的部分，這些特點使得LED可以說是不易損壞的；七、高節能：節能能源無污染即為環保。直流驅動，超低功耗(單管0.03-0.06瓦)電光功率轉換接近100％，相同照明效果比傳統光源節能80％以上；八、多變幻，LED光源可利用紅、綠、藍三基色原理，在計算機技術控制下使三種顏色具有256級灰度并任意混合，即可產生256×256×256＝16777216種顏色，形成不同光色的組合變化多端，實現豐富多彩的動態變化效果及各種圖像。

由于LED具有如此不可忽略與替代的優勢，如何制造出高亮度、符合我們要求的產品又成為我們的工作重點。而金屬有機物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical VapourDeposition，簡稱MOCVD)設備是目前世界范圍內進行所有半導體化合物生長的成熟技術。

MOCVD技術自二十世紀六十年代首先提出以來，經過七十至八十年代的發展，九十年代已經成為砷化鎵、磷化銦等光電子材料外延片制備的核心生長技術。目前已經在砷化鎵、磷化銦等光電子材料生產中得到廣泛應用。日本科學家Nakamura將MOCVD應用氮化鎵材料制備，利用他自己研制的MOCVD設備(一種非常特殊的反應室結構)，于1994年首先生產出高亮度藍光和綠光發光二極管，1998年實現了室溫下連續激射10,000小時，取得了劃時代的進展。跟隨著半導體材料及器件工藝的進步，特別是MOCVD等外延工藝的日益成熟，至上世紀九十年代初，日本日亞化學公司(Nichia)與美國的克雷(Cree)公司通過MOCVD技術分別在藍寶石與SiC襯底上生長成功了具有器件結構的GaN基LED外延片，并制造了亮度很高的藍、綠及紫光LED器件。超高亮LED的第二個特征是發光波長的擴展，InGaAlP器件的出現使發光波段向短波擴展到570nm的黃綠光區域，而GaN基器件更使發光長短擴至綠、藍、紫波段，并逐步向寬波段的光色擴展。