[發明專利]檢測基板上的缺陷的方法和用于檢測基板上的缺陷的設備

在審

• 申請號: 201910542195.5
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN110907471A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 鄭殷熹;亞歷山大·肖爾克夫;安東·梅德韋杰夫;馬克西姆·里亞巴克;裴祥佑;大久保彰律;李相珉;趙成根;朱愿暾
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01N21/956
• 分類號: G01N21/956
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;劉燦強

公開一種檢測基板上缺陷的方法和用于檢測基板上的缺陷的設備。在檢測基板上的缺陷的方法中，可以將入射光束照射到基板的表面以產生反射光束。可檢測反射光束之中的二次諧波產生(SHG)光束。SHG光束可由基板上的缺陷產生。可通過檢查SHG光束來檢測納米尺寸缺陷。

本申請要求于2018年9月18日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2018-0111663號韓國專利申請的優先權，所述韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。

技術領域

示例實施例涉及一種檢測基板上的缺陷的方法和用于執行該方法的設備。更具體地講，示例實施例涉及一種檢測基板上的納米尺寸缺陷的方法，以及用于執行該方法的設備。本公開還涉及一種使用該設備和/或缺陷檢測方法制造半導體裝置的方法。

背景技術

隨著半導體裝置變得高度集成，導致半導體裝置的錯誤的缺陷的尺寸可變得更小。不會導致傳統半導體裝置的錯誤的小尺寸缺陷，會導致高度集成的半導體裝置中的錯誤。

因此，用于精確地檢測納米尺寸缺陷的方法和設備可有利于制造半導體裝置。此外，用于快速地檢測納米尺寸缺陷的方法和設備也可有利于半導體裝置的大規模生產。

發明內容

示例實施例提供一種準確并快速地檢測基板上的納米尺寸缺陷的方法。

示例實施例還提供一種用于執行上述方法的設備。

根據示例實施例，可提供一種檢測基板上的缺陷的方法。在檢測基板上的缺陷的方法中，可將入射光束照射到基板的表面以產生反射光束。可檢測反射光束之中的二次諧波產生(SHG)光束。SHG光束可由基板上的缺陷產生。

根據示例實施例，可提供一種檢測基板上的缺陷的方法。在檢測基板上的缺陷的方法中，可將入射光束照射到基板的表面以產生反射光束。可去除反射光束之中的具有與SHG光束的頻帶不同的頻帶的反射光束。可去除SHG光束的第一部分。第一部分可具有與SHG光束的其他部分的偏振方向不同的偏振方向。可去除SHG光束的第二部分。第二部分可由基板的表面產生。

根據示例實施例，可提供一種用于檢測基板上的缺陷的設備。所述設備可包括光源、濾波器和檢測器。光源可被配置為產生光束，所述光束導致入射光束入射到基板的表面以形成反射光束。濾波器可被配置為允許SHG光束穿過濾波器。SHG光束可由缺陷產生。檢測器可被配置為在SHG光束穿過濾波器之后接收SHG光束。

根據示例實施例，可提供一種用于檢測基板上的缺陷的設備。所述設備可包括光源、二向色鏡、分析器和檢測器。光源可被配置為產生光束，所述光束導致入射光束入射到基板的表面以形成反射光束。二向色鏡可被配置為允許SHG光束穿過二向色鏡。SHG光束可由缺陷產生。分析器可被配置為在SHG光束穿過二向色鏡之后去除具有與SHG光束的偏振方向不同的偏振方向的光束。檢測器可被配置為在SHG光束穿過分析器之后接收SHG光束。

根據示例實施例，可檢測反射光束之中的僅由基板上的缺陷產生的SHG光束。因此，可通過檢查SHG光束準確并快速地檢測納米尺寸缺陷。

附圖說明

通過下面結合附圖進行的詳細描述，將會更清楚地理解示例實施例。圖1至圖11表示如在此描述的非限制性的示例實施例，在附圖中：

圖1是示出根據示例實施例的用于檢測基板上的缺陷的設備的框圖；

圖2是示出使用圖1中的設備檢測基板上的缺陷的方法的流程圖；

圖3是示出根據示例實施例的用于檢測基板上的缺陷的設備的框圖；

圖4是示出使用圖3中的設備檢測基板上的缺陷的方法的流程圖；

圖5是示出根據示例實施例的用于檢測基板上的缺陷的設備的框圖；