[發明專利]掩膜板、掩膜裝置及其應用方法

在審

• 申請號: 201910540107.8
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN110241384A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 肖世艷
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/34;H01L51/56
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種掩膜板，用于基板成膜，其特征在于，

所述基板包括一預設的開孔區，

所述掩膜板被一分隔線分為遮光區和開口區兩部分；所述掩膜板包括一遮擋區，突出于所述遮光區的一側邊，該側邊在所述分隔線處連接至所述開口區，當所述掩膜板與所述基板被對位設置時，

所述遮擋區在所述基板表面的投影位于所述開孔區內。

2.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，

所述遮擋區為半圓形，所述開孔區為圓形，所述遮擋區的半徑與所述開孔區的半徑相同。

3.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，

所述基板包括一基板分隔線，與所述分隔線在所述基板表面的投影部分地重合。

4.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，

所述掩膜板為矩形或圓角矩形；和/或，

所述分隔線的兩端分別設于所述掩膜板兩條相鄰的側邊上；

所述分隔線與所述掩膜板兩條相鄰側邊分別形成一夾角，所述夾角的角度為40°～50°。

5.一種掩膜裝置，包括

兩個如權利要求1-4中任一項所述的掩膜板，分別為第一掩膜板及第二掩膜板；

其中，所述第一掩膜板被第一分隔線分為第一遮光區和第一開口區；

所述第二掩膜板被第二分隔線分為第二遮光區和第二開口區；

所述第一掩膜板的尺寸與第二掩膜板的尺寸相同；

所述第一分隔線在所述基板表面的投影，與所述第二分隔線在所述基板表面的投影部分地重合。

6.如權利要求5所述的掩膜裝置，其特征在于，

所述第一分隔線包括第一直線部和第一弧線部；

所述第二分隔線包括第二直線部和第二弧線部；

所述第一直線部在所述基板表面的投影，與所述第二直線部在所述基板表面的投影重合；

所述第一弧線部在所述基板表面的投影，與所述第二弧線部在所述基板表面的投影圍成一圓形，與所述開孔區的邊際線重合。

7.一種掩膜裝置的應用方法，其特征在于，包括如下步驟：

基板設置步驟，將一基板放置一蒸鍍腔體內，所述基板包括一預設的開孔區；

第一對位步驟，將所述基板與第一掩膜板進行第一對位處理；

第一沉積步驟，在所述基板一側表面沉積有機材料，形成一第一膜層，所述第一膜層具有第一缺口；

第二對位處理，將所述基板與第二掩膜板進行第二對位處理；以及

第二沉積步驟，在所述基板一側表面沉積有機材料，形成一第二膜層，連接至所述第一膜層；所述第二膜層具有第二缺口；

其中，所述第一缺口和所述第二缺口在所述基板表面圍成一通孔，與所述開孔區相對設置。

8.如權利要求7所述的掩膜裝置的應用方法，其特征在于，

在所述第一沉積步驟中，

在真空蒸鍍的環境下，對所述基板沉積有機材料，在所述基板表面形成所述第一膜層；

在所述第二沉積步驟中，

在真空蒸鍍的環境下，對所述基板沉積有機材料，在所述基板表面形成所述第二膜層。

9.如權利要求7所述的掩膜裝置的應用方法，其特征在于，

所述基板包括一基板分隔線；

所述第一膜層與所述第二膜層的連接處與所述基板分隔線相對設置。

10.如權利要求9所述的掩膜裝置的應用方法，其特征在于，

所述第一膜層包括兩個以上第一像素；

所述第二膜層包括兩個以上第二像素；

所述第一像素、所述第二像素被排列為矩陣；

所述第一像素、所述第二像素分別位于所述基板分隔線的兩側。