[發(fā)明專利]聚酰亞胺燒制方法以及聚酰亞胺燒制裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910539910.X | 申請(qǐng)日: | 2019-06-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110643059B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 細(xì)田浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | B29C41/20 | 分類號(hào): | B29C41/20;B29C41/50;C08J5/18;B29C41/46;B29C41/52;H01L21/02;C08L79/08 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 楊楷;毛立群 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚酰亞胺 燒制 方法 以及 裝置 | ||
1.一種聚酰亞胺燒制方法,其特征在于,包括:
收容工序,將涂布有用于形成聚酰亞胺的溶液的基板收容于腔室的內(nèi)部的收容空間;
第一加熱工序,在所述收容空間的氣氛為1000Pa以上的狀態(tài)下,將所述基板加熱至25℃以上250℃以下的溫度;
第二加熱工序,在所述第一加熱工序之后,在所述收容空間的氣氛為1Pa以上且不足1000Pa的狀態(tài)下,將所述基板加熱至超過(guò)所述第一加熱工序中的最高到達(dá)溫度且550℃以下的溫度;
第三加熱工序,在所述第二加熱工序之后,將所述基板加熱至比所述第二加熱工序中的最高到達(dá)溫度高50℃以上的溫度,
在所述第一加熱工序中,所述基板的加熱時(shí)間為0.5min以上40min以下,
在所述第二加熱工序中,所述基板的加熱時(shí)間為2min以上40min以下。
2.如權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺燒制方法,其特征在于,
還包括預(yù)備加熱工序,在所述第一加熱工序之前,預(yù)先將所述腔室加熱至100℃以上250℃以下的溫度。
3.如權(quán)利要求1或2所述的聚酰亞胺燒制方法,其特征在于,
在所述第二加熱工序中,使用升溫速率比在所述第一加熱工序中使用的第一加熱部大的第二加熱部對(duì)所述基板進(jìn)行加熱。
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