[發明專利]用于從襯底選擇性地移除氮化物的方法

在審

• 申請號: 201910535292.1
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN110189995A
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 安東尼·S·拉特科維奇;杰弗里·W·布特鮑;大衛·S·貝克
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創FSI公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高世豪;蔡勝有

一種從襯底選擇性地移除氮化硅的方法，包括：提供其表面上具有氮化硅的襯底；以及在大于約150℃的溫度下，將磷酸和硫酸作為混合酸液體流散布至襯底的表面上。在該方法中，在混合酸液體流的液體溶液通過噴嘴時或在混合酸液體流的液體溶液通過噴嘴之后，將水添加到混合酸液體流的液體溶液中。該方法對氮化硅的蝕刻提供了優異的選擇性，并且還提供了快速蝕刻，從而提高了用于處理襯底的工具的生產效率。

本申請是申請日為2011年12月6日，申請號為“201180053463.9”，發明名稱為“用于從襯底選擇性地移除氮化物的方法”的中國專利申請的分案申請。

優先權聲明

本申請要求于2010年12月10日提交的發明名稱為“PROCESS FOR SELECTIVELYREMOVING NITRIDE FROM SUBSTRATES”的美國臨時申請第61/421808號的優先權，其公開的全部內容通過引用合并到本文中以用于所有目的。

技術領域

本發明涉及用于從襯底移除氮化物的方法。更具體地，本發明涉及使用硫酸、磷酸以及水從襯底移除氮化物，所述氮化物優選地為氮化硅。

背景技術

隨著不斷增加有源元件的封裝密度，電子技術的進步使集成電路形成在襯底(如硅片)上。通過連續的施加、處理以及從襯底選擇性地移除各種材料來實施電路的形成。在半導體晶片技術中，已經研制了用于從襯底移除特定種類材料的各種組合物。例如，通常表示為SC-1的組合物，其包括約1:1:5的體積比(或稍高的稀釋比)的NH₄OH(29wt％)/H₂O₂(30wt％)/水的混合物，SC-1通常用于移除顆粒并且用于再氧化疏水硅表面。同樣地，通常表示為SC-2的組合物，其包括約1:1:5(或稍高的稀釋比)的體積比的HCl(37wt％)/H₂O₂(30wt％)/水的混合物，SC-2通常用于移除金屬。另外的組合物，通常稱為Piranha組合物，其包括約2:1至20:1的體積比的H₂SO₄(98wt％)/H₂O₂(30wt％)，Piranha通常用于移除有機污染物或一些金屬層。

美國專利第7,592,264號中描述了從襯底移除材料，優選地為光刻膠。在該專利中，液體硫酸組合物包括硫酸和/或其干燥物質以及前體，并具有不大于5:1的水/硫酸摩爾比，將該液體硫酸組合物以如下量散布至涂覆襯底的材料上，該量使得能夠有效地充分均勻地涂覆襯底的材料。無論是在散布液體硫酸組合物之前、期間或之后，將襯底優選地加熱到至少約為90℃的溫度。在襯底為至少約90℃的溫度之后，液體硫酸組合物暴露于如下量的水蒸氣，該量使得能夠有效地增加液體硫酸組合物的溫度至高于暴露于水蒸氣之前的液體硫酸組合物的溫度。然后，優選地漂洗襯底以移除材料。

美國專利第7,819,984號中描述了一種處理襯底的方法，由此在其表面上具有材料的襯底被放置在處理室中，隨著引導水蒸氣的流撞擊襯底表面和/或撞擊液體處理組合物，引導液體處理組合物的流撞擊襯底表面。