[發明專利]用于從襯底選擇性地移除氮化物的方法在審
| 申請號: | 201910535292.1 | 申請日: | 2011-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN110189995A | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 安東尼·S·拉特科維奇;杰弗里·W·布特鮑;大衛·S·貝克 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創FSI公司 |
| 主分類號: | H01L21/311 | 分類號: | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 高世豪;蔡勝有 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 混合酸 液體流 液體溶液 氮化硅 蝕刻 噴嘴 移除 生產效率 氮化物 水添加 磷酸 硫酸 散布 | ||
1.一種從襯底選擇性地移除氮化硅的方法,包括:
a)提供其表面上具有氮化硅的襯底;以及
b)在大于約150℃的溫度下,將磷酸和硫酸作為混合酸液體流散布到所述襯底的所述表面上,其中在所述混合酸液體流的液體溶液通過噴嘴時或在所述混合酸液體流的所述液體溶液通過噴嘴之后,將水添加至所述混合酸液體流的所述液體溶液中。
2.根據權利要求1所述的方法,其中添加水的所述混合酸液體流的所述液體溶液為磷酸和硫酸的混合物,或者
其中添加水的所述混合酸液體流的所述液體溶液為磷酸溶液,或者
其中添加水的所述混合酸液體流的所述液體溶液為硫酸溶液。
3.根據權利要求1所述的方法,其中在大于約180℃的溫度下散布所述混合酸液體流,或者
其中在約200℃或大于約200℃的溫度下散布所述混合酸液體流,或者
其中在約190℃至240℃的溫度下散布所述混合酸液體流,或者
其中在約150℃至180℃的溫度下散布所述混合酸液體流。
4.根據權利要求1所述的方法,其中在添加水之后,所述混合酸液體流的水含量為約10重量%至約20重量%,或者
其中在添加水之后,所述混合酸液體流的水含量為約11重量%至約15重量%。
5.根據權利要求1所述的方法,其中通過以3:1至1:6的磷酸與硫酸的體積比將磷酸溶液與硫酸溶液進行混合來制備所述混合酸液體流,所述磷酸溶液為至少約80重量%的磷酸,所述硫酸溶液為至少約重量90%的硫酸,優選地,其中所述磷酸溶液為85重量%的磷酸,并且所述硫酸溶液是98重量%的硫酸,優選地,其中所述磷酸與所述硫酸的所述體積比為1:2至1:4,優選地,其中在添加水時所述液體硫酸溶液具有不大于約5:1的水/硫酸摩爾比。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所添加的水是水蒸氣形式,優選地,其中在約80℃至約110℃的溫度下提供所述水蒸氣,優選地,其中在約100℃的溫度下提供所述水蒸氣。
7.根據權利要求1所述的方法,其中在散布所述混合酸液體流期間所述襯底是旋轉的,其中添加了水的所述混合酸液體流以連續流的形式撞擊所述襯底,和/或
其中添加了水的所述混合酸液體流以液體氣溶膠滴的形式撞擊所述襯底,和/或
其中在作為混合酸液體流從所述噴嘴散布之前,將所述磷酸和所述硫酸在用于儲存的容器中進行混合,和/或
其中將所述磷酸和所述硫酸在所述噴嘴的上游位置處在管線中混合以形成混合酸液體流,和/或
其中在作為混合酸液體流從所述噴嘴噴射出之前,將所述磷酸和所述硫酸在噴嘴組合件中進行混合,和/或
其中所述磷酸和所述硫酸作為分開的液體溶液以流的形式從所述噴嘴組合件的分開的孔中散布,所述分開的流隨后在所述噴嘴的外部并且在與所述襯底表面接觸之前撞擊并形成混合酸液體流,和/或
其中將所述磷酸和所述硫酸噴灑到所述襯底的所述表面上,和/或
其中使所述磷酸和所述硫酸流到所述襯底的所述表面上。
8.一種從襯底選擇性地移除氮化硅的方法,包括:
a)提供其表面上具有氮化硅的襯底;以及
b)作為分開的流散布磷酸和硫酸;
c)在與所述襯底表面接觸之前,使所述磷酸和所述硫酸的所述分開的流撞擊以形成混合酸液體流;以及
d)使所述混合酸液體流接觸所述襯底表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創FSI公司,未經東京毅力科創FSI公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910535292.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





