[發(fā)明專利]電致發(fā)光器件及其制備方法、電子設備

在審

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• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110350095A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設計）人: 汪亞民
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明公開了一種電致發(fā)光器件及其制備方法、電子設備，電致發(fā)光器件，包括第一電極和第二電極；以及功能結(jié)構(gòu)層，設于所述第一電極和所述第二電極之間；所述功能結(jié)構(gòu)層中具有摻雜材料和氧化石墨烯材料，所述摻雜材料中具有共軛離子。本發(fā)明的電致發(fā)光器件及其制備方法、電子設備，在所述電致發(fā)光器件的電壓作用下，陰陽離子會加速定向移動，原因在于摻雜的共軛離子增強了所述空穴注入層的注入載流子的能力，從而增強了電致發(fā)光器件的光電性能。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體為一種電致發(fā)光器件及其制備方法、電子設備。

背景技術

電致發(fā)光顯示設備是一類自發(fā)光型的顯示裝置，通過載流子在各個功能層間的轉(zhuǎn)移、復合產(chǎn)生激子，依靠高量子效率的有機化合物或金屬配合物發(fā)光。其具有自發(fā)光、高亮度、高效率、高對比度、高響應性等特點。

氧化石墨烯在氧化狀態(tài)下，石墨烯本身的sp2雜化共軛會被破壞，導致氧化石墨烯中缺少了自由移動的π電子，所以在氧化狀態(tài)下，氧化石墨烯幾乎處于絕緣，同時能帶間隙很寬，大約3.5eV以上。

離子鍵是非常強烈的一種離子對，共軛離子因為共軛的存在，其陰陽離子的作用效果減小。因此，怎樣通過帶有共軛離子的離子化合物與氧化石墨烯結(jié)合，以使氧化石墨烯從氧化變成還原狀態(tài)，使之在共軛區(qū)域產(chǎn)生自由移動的π電子，以此來調(diào)節(jié)氧化石墨烯的絕緣性能和導電性能是目前需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術問題：本發(fā)明提供一種電致發(fā)光器件及其制備方法、電子設備，通過將具有共軛離子的摻雜材料摻雜于氧化石墨烯材料中，用于制備功能結(jié)構(gòu)層，以增強功能結(jié)構(gòu)層，特別是空穴注入層的注入載流子的能力，從而增強致發(fā)光器件的光電性能。

解決上述問題的技術方案是：本發(fā)明提供一種電致發(fā)光器件，包括第一電極和第二電極；以及功能結(jié)構(gòu)層，設于所述第一電極和所述第二電極之間；所述功能結(jié)構(gòu)層中具有摻雜材料和氧化石墨烯材料，所述摻雜材料中具有共軛離子。

在本發(fā)明一實施例中，所述功能結(jié)構(gòu)層包括空穴注入層，其所用材料中具有所述摻雜材料和所述氧化石墨烯材料，所述摻雜材料中具有共軛離子；所述空穴注入層設于所述第一電極上；空穴傳輸層，設于所述空穴注入層上；發(fā)光層，設于所述空穴傳輸層上；電子傳輸層，設于所述發(fā)光層上；電子注入層，設于所述電子傳輸層上；所述第二電極設于所述電子注入層上。

在本發(fā)明一實施例中，所述空穴傳輸層所用材料包括四苯基聯(lián)苯二胺類化合物、聯(lián)苯雙酯、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺中的至少一種。

在本發(fā)明一實施例中，所述摻雜材料為N，N二甲基二亞定硝酸鹽；所述摻雜材料與所述氧化石墨烯材料的重量比為1：1-1:99。

在本發(fā)明一實施例中，所述N，N二甲基二亞定硝酸鹽的結(jié)構(gòu)式包括以下結(jié)構(gòu)式的至少一種：

本發(fā)明還提供了一種制備方法，用以制備所述的電致發(fā)光器件，包括以下步驟：提供一導電玻璃，其表面具有所述第一電極；形成所述功能結(jié)構(gòu)層于所述導電玻璃具有所述第一電極的一面，所述功能結(jié)構(gòu)層中具有摻雜材料和氧化石墨烯材料，所述摻雜材料中具有共軛離子；通過真空蒸鍍法形成所述第二電極于所述功能結(jié)構(gòu)層遠離所述第一電極的一側(cè)。

在本發(fā)明一實施例中，在所述的提供所述導電玻璃的步驟中，包括用去離子水清洗所述導電玻璃，再用溫水潤洗所述導電玻璃30分鐘-50分鐘后烘干，所述溫水的溫度保持在15℃-35℃；然后用等離子體清洗器清洗所述導電玻璃6分鐘-15分鐘。