[發明專利]電致發光器件及其制備方法、電子設備

在審

• 申請號: 201910534879.0
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110350095A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 汪亞民
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種電致發光器件，其特征在于，包括

第一電極和第二電極；以及

功能結構層，設于所述第一電極和所述第二電極之間；

所述功能結構層中具有摻雜材料和氧化石墨烯材料，所述摻雜材料中具有共軛離子。

2.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述功能結構層包括空穴注入層，其所用材料中具有所述摻雜材料和所述氧化石墨烯材料，所述摻雜材料中具有共軛離子；所述空穴注入層設于所述第一電極上；

空穴傳輸層，設于所述空穴注入層上；

發光層，設于所述空穴傳輸層上；

電子傳輸層，設于所述發光層上；

電子注入層，設于所述電子傳輸層上；

所述第二電極設于所述電子注入層上。

3.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層所用材料包括四苯基聯苯二胺類化合物、聯苯雙酯、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯苯-4-4′-二胺中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述摻雜材料為N，N二甲基二亞定硝酸鹽；所述摻雜材料與所述氧化石墨烯材料的重量比為1：1-1:99。

5.根據權利要求4所述的電致發光器件，其特征在于，所述N，N二甲基二亞定硝酸鹽的結構式包括以下結構式的至少一種：

6.一種制備方法，用以制備權利要求1-5中任意一項所述的電致發光器件，其特征在于，包括以下步驟：

提供一導電玻璃，其表面具有所述第一電極；

形成所述功能結構層于所述導電玻璃具有所述第一電極的一面，所述功能結構層中具有摻雜材料和氧化石墨烯材料，所述摻雜材料中具有共軛離子；

通過真空蒸鍍法形成所述第二電極于所述功能結構層遠離所述第一電極的一側。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述的提供所述導電玻璃的步驟中，包括

用去離子水清洗所述導電玻璃，再用溫水潤洗所述導電玻璃30分鐘-50分鐘后烘干，所述溫水的溫度保持在15℃-35℃；

然后用等離子體清洗器清洗所述導電玻璃6分鐘-15分鐘。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述的形成所述功能結構層步驟中包括

提供所述摻雜材料和所述氧化石墨烯材料，將所述摻雜材料溶解至去離子水中得到摻雜材料溶液，將所述氧化石墨烯材料溶解至去離子水中并進行超聲波震蕩得到氧化石墨烯溶液；

將所述摻雜材料溶液摻雜至所述氧化石墨烯溶液中，并進行超聲分散2小時-4小時,同時將溫度調至30-50℃，得到混合溶液，在所述混合溶液中，所述摻雜材料的重量百分比為0.1wt％-50wt％；

將所述混合溶液涂布于所述導電玻璃具有所述第一電極的表面形成所述空穴注入層。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述的形成所述功能結構層步驟中還包括

在形成所述空穴注入層之后，將所述導電玻璃固定在掩模板上，并轉移到真空蒸鍍腔室內，使用分子泵對所述真空蒸鍍腔室抽真空，直至所述真空蒸鍍腔室的真空度低于4.0×10^-4-6.5×10^-4Pa；

通過真空蒸鍍法在所述空穴傳輸層上依次形成所述空穴傳輸層、所述發光層、所述電子傳輸層、所述電子注入層。

10.一種電子設備，其特征在于，具有如權利要求1-5中任意一項所述的電致發光器件。