[發(fā)明專利]一種集成電路芯片電阻及其制造工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910534729.X | 申請日: | 2019-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN110416203A | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 閆方亮;史繼巖;匡小鵬;閆建康;于渤 | 申請(專利權)人: | 北京聚睿眾邦科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;H01L27/00;H01L23/48;H01L21/70 |
| 代理公司: | 北京一枝筆知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11791 | 代理人: | 鄭懌 |
| 地址: | 100085 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路芯片 電阻 電阻塊 電路 環(huán)形電路 制造工藝 體電阻 半導體 檢測 微電子技術領域 對角線 導電物質 電路電流 電阻兩端 檢測裝置 接入檢測 均勻布置 情況反饋 過線孔 導電 多路 分出 | ||
本發(fā)明公開了一種集成電路芯片電阻及其制造工藝,涉及微電子技術領域,包括體電阻塊,所述集成電路芯片電阻包含內(nèi)外兩個環(huán)形電路,每個所述環(huán)形電路上設置4個均勻布置的體電阻塊,在內(nèi)圈兩個體電阻塊之間與外圈兩個體電阻塊之間分別設置有1個電阻塊,通過在半導體上刻分出若干個半導體快,并且分別與若干個過線孔層內(nèi)的導電物質連接,從而在使用時,來實現(xiàn)多路導電,通過在對角線C1和C11接入檢測裝置,檢測裝置通過檢測集成電路芯片電阻兩端的電壓或電流來檢測集成電路芯片電阻和整個電路的好壞,將檢測的情況反饋給cpu,通過cpu調節(jié)電路電流的大小,或者通過調節(jié)電路中其他電阻的大小,來實現(xiàn)電路工作的穩(wěn)定性。
技術領域
本發(fā)明涉及集成電路芯片電阻技術領域,具體為一種集成電路芯片電阻及其制造工藝。
背景技術
集成電路芯片電阻是指其電阻值對于某種物理量(如溫度、濕度、光照、電壓、機械力、以及氣體濃度等)具有敏感特性,當這些物理量發(fā)生變化時,敏感電阻的阻值就會隨物理量變化而發(fā)生改變,呈現(xiàn)不同的電阻值。
電阻器在使用的過程中,如果在電路中損壞,那么會使整個電路無法工作,不能夠多路導電,并且在使用中,無法在電阻損壞的時候,對電路的電流進行調節(jié),從而影響到電路的正常運轉。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了彌補現(xiàn)有技術的不足,提供了一種集成電路芯片電阻及其制造工藝,它具有多路導電和電阻損壞后能夠對電路電流調節(jié)的優(yōu)點,解決了普通電阻器無法多路導電和難以對損害后電路的電流進行調節(jié)的問題。
本發(fā)明為解決上述技術問題,提供如下技術方案:一種集成電路芯片電阻,包括體電阻塊,所述集成電路芯片電阻包含內(nèi)外兩個環(huán)形電路,每個所述環(huán)形電路上設置4個均勻布置的體電阻塊,在內(nèi)圈兩個體電阻塊之間與外圈兩個體電阻塊之間分別設置有1個體電阻塊。
進一步的,所述集成電路芯片電阻包含基板,所述基板的上方設置有絕緣層,所述絕緣層內(nèi)嵌入有若干體電阻塊,所述絕緣層的上設置有若干過線孔,所述絕緣層的上方設置有點連線層,所述電連線層的上方設置有封裝層。
進一步的,所述絕緣層的材質為二氧化硅。
進一步的,所述基板的材料為硅或絕緣陶瓷上沉積硅后形成的材料。
通過采用上述技術方案,能夠更好的通過絕緣層對導電物進行封裝。
進一步的,所述體電阻塊具有阻值,其數(shù)量為12枚,其在絕緣層互不接觸。
通過采用上述技術方案,通過刻分的多個導電體塊實現(xiàn)多路導電電阻網(wǎng)絡。
進一步的,所述過線孔的內(nèi)部均填充有導電物質,且導電物質與體電阻塊分別接觸,每兩個過線孔之間的導電物質不接觸,過線孔內(nèi)部的導電物質相當于電線。
通過采用上述技術方案,防止在使用時,導電物質相互接觸而導致串電的問題。
進一步的,所述電連線層的引線端通過過線孔的導電物質與體電阻塊連接。
通過采用上述技術方案,更好的對該電阻進行電路連接。
一種集成電路芯片電阻的制造工藝,所述制作方法包括以下步驟:
S1,準備好基板,在基板上方濺射金屬層,通過高溫工藝使得金屬層滲入基板中,形成一層基板與鋁的合金層即可,集成電路芯片電阻層,通過光刻和刻蝕工藝將該集成電路芯片電阻層變成若干個互不接觸的體電阻塊,使之成為體電阻塊層;
S2,用絕緣物質將體電阻塊層覆蓋,使得體電阻塊的四周和上部包覆于絕緣物質中,形成鑲嵌有體電阻塊的絕緣覆蓋層;
S3,通過光刻和刻蝕工藝在上述絕緣覆蓋層上形成具有過線孔的過線孔層;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京聚睿眾邦科技有限公司,未經(jīng)北京聚睿眾邦科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910534729.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:包括過模通孔結構的層疊封裝件
- 下一篇:具有鈍化層的半導體器件
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





