[發明專利]一種集成電路芯片電阻及其制造工藝

在審

• 申請號: 201910534729.X
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110416203A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 閆方亮;史繼巖;匡小鵬;閆建康;于渤
• 申請（專利權）人: 北京聚睿眾邦科技有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01L27/00;H01L23/48;H01L21/70
• 代理公司: 北京一枝筆知識產權代理事務所(普通合伙) 11791
• 代理人: 鄭懌

1.一種集成電路芯片電阻，包括體電阻塊(3)，其特征在于：所述集成電路芯片電阻包含內外兩個環形電路，每個所述環形電路上設置4個均勻布置的體電阻塊(3)，在內圈兩個體電阻塊(3)之間A1與外圈兩個體電阻塊(3)之間C11分別設置有1個體電阻塊(3)。

2.根據權利要求1所述的一種集成電路芯片電阻，其特征在于：所述集成電路芯片電阻包含基板（1），所述基板（1）的上方設置有絕緣層（2），所述絕緣層（2）內嵌入有若干體電阻塊(3)，所述絕緣層（2）的上設置有若干過線孔（4），所述絕緣層（2）的上方設置有電連線層（6），所述電連線層（6）的上方設置有封裝層（5）。

3.根據權利要求2所述的一種集成電路芯片電阻，其特征在于：所述絕緣層（2）的材質為二氧化硅。

4.根據權利要求3所述的一種集成電路芯片電阻，其特征在于：所述基板的材料為硅或絕緣陶瓷上沉積硅后形成的材料。

5.根據權利要求3所述的一種集成電路芯片電阻，其特征在于： 所述體電阻塊(3)具有阻值，其數量為12枚，其在絕緣層（2）互不接觸。

6.根據權利要求4所述的一種集成電路芯片電阻，其特征在于：所述過線孔（4）的內部均填充有導電物質，且導電物質與體電阻塊(3)分別接觸，每兩個過線孔之間的導電物質不接觸，過線孔（4）內部的導電物質相當于電線。

7.根據權利要求5所述的一種集成電路芯片電阻，其特征在于：所述電連線層（6）的引線端通過過線孔的導電物質與體電阻塊(3)連接。

8.一種集成電路芯片電阻的制造工藝，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

S1，準備好基板（1），在基板（1）上方濺射金屬層，通過高溫工藝使得金屬層滲入基板（1）中，形成一層基板（1）與金屬的合金層即集成電路芯片電阻層，通過光刻和刻蝕工藝將該集成電路芯片電阻層變成若干個互不接觸的體電阻塊(3)，使之成為體電阻塊層；

S2，用絕緣物質將體電阻塊層覆蓋，使得體電阻塊(3)的四周和上部包覆于絕緣物質中，形成鑲嵌有體電阻塊(3)的絕緣覆蓋層；

S3，通過光刻和刻蝕工藝在上述絕緣覆蓋層上形成具有過線孔的過線孔層（4）;

S4，在每層過線孔層（4）的內部填充相當于電線的導電物質，每兩個過線孔之間的導電物質不接觸，導電物質與體電阻塊分別接觸，在絕緣覆蓋層的表面上形成電連線層（6）;

S5，電連線層（6）的接線端通過過線孔內的導電物質與體電阻塊（3）進行連接，然后將封裝層（5）設置在電連線層（6）的上部，實現該電阻電路的連接和封裝。

9.根據權利要求8所述一種集成電路芯片電阻的制造工藝，其特征在于：所述基板的材料為硅或絕緣陶瓷上沉積硅后形成的材料，所述的金屬為鋁。