[發明專利]一種外延片生長用承載盤

在審

• 申請號: 201910534605.1
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110277344A
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 夏遠洋;李亦衡;張葶葶;朱廷剛
• 申請（專利權）人: 江蘇能華微電子科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 王樺

本發明涉及一種外延片生長用承載盤，包括盤體、開設在所述的盤體表面上的至少三個用于生長外延片的第一槽體，多個所述的第一槽體外側之間所述的盤體表面形成一個交界區域，在所述的交界區域上開設有第二槽體。本發明通過在盤體的交界區域處開設第二槽體的方式，改善了第一槽體交界處局部的溫場均勻性，從而達到提升外延薄膜厚度均勻性的目的，生長的外延片無明顯厚度不均勻現象；對現有承載盤的結構改進小，成本低。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別是涉及一種外延片生長用承載盤。

背景技術

化合物半導體包括GaAs，GaN，SiC等以化合物形式存在的半導體材料?；衔锇雽w薄膜一般通過外延技術在同質或者異質襯底上人工合成，承載盤是外延生長時用于承載襯底的工具。在外延生長過程中：溫度、壓力、氣體流速等因素決定了半導體薄膜的性能，其中，承載盤的溫場均勻性是一項重要技術指標。

如圖1所示的承載盤，其包括盤體1、開設在盤體1表面上的多個槽體13，這些槽體即用于生長外延片2。但是，在實際生長過程中槽體13交界處因為三角區的存在造成生長過程中局部的溫場不均勻，從而導致接近三角區處外延片2的厚度不均勻（偏?。?，最終降低了外延片的良率。

發明內容

本發明的目的是提供一種外延片生長用承載盤。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：

一種外延片生長用承載盤，包括盤體、開設在所述的盤體表面上的至少三個用于生長外延片的第一槽體，多個所述的第一槽體外側之間所述的盤體表面形成一個交界區域，在所述的交界區域上開設有第二槽體。

優選地，所述的第二槽體的深度為300-1500μm。

優選地，所述的第二槽體的面積占所述的交界區域面積的95%以上。

優選地，所述的第二槽體開設在所述的交界區域的中部。

優選地，所述的第一槽體呈圓形。

進一步優選地，所述的第一槽體的直徑為2-12英寸。

優選地，相鄰兩個所述的第一槽體之間的間距為5-10mm。

優選地，所述的第一槽體的面積大于所述的第二槽體的面積。

優選地，三個所述的第一槽體外側之間所述的盤體表面形成一個所述的交界區域。

優選地，所述的承載盤為石墨承載盤。

由于上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點和效果：

本發明通過在盤體的交界區域處開設第二槽體的方式，改善了第一槽體交界處局部的溫場均勻性，從而達到提升外延薄膜厚度均勻性的目的，生長的外延片無明顯厚度不均勻現象；對現有承載盤的結構改進小，成本低。

附圖說明

附圖1為現有技術的結構示意圖；

附圖2為本實施例的結構示意圖。

其中：1、盤體；10、第一槽體；11、交界區域；12、第二槽體；13、槽體；2、外延片。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。