[發(fā)明專利]一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910534605.1
• 申請(qǐng)日: 2019-06-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110277344A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏遠(yuǎn)洋;李亦衡;張葶葶;朱廷剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 王樺

1.一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，包括盤(pán)體、開(kāi)設(shè)在所述的盤(pán)體表面上的至少三個(gè)用于生長(zhǎng)外延片的第一槽體，多個(gè)所述的第一槽體外側(cè)之間所述的盤(pán)體表面形成一個(gè)交界區(qū)域，其特征在于：在所述的交界區(qū)域上開(kāi)設(shè)有第二槽體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：所述的第二槽體的深度為300-1500μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：所述的第二槽體的面積占所述的交界區(qū)域面積的95%以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：所述的第二槽體開(kāi)設(shè)在所述的交界區(qū)域的中部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：所述的第一槽體呈圓形。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：所述的第一槽體的直徑為2-12英寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：相鄰兩個(gè)所述的第一槽體之間的間距為5-10mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：所述的第一槽體的面積大于所述的第二槽體的面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：三個(gè)所述的第一槽體外側(cè)之間所述的盤(pán)體表面形成一個(gè)所述的交界區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延片生長(zhǎng)用承載盤(pán)，其特征在于：所述的承載盤(pán)為石墨承載盤(pán)。