[發明專利]基底加工方法在審
| 申請號： | 201910533674.0 | 申請日： | 2019-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN110739198A | 公開（公告）日： | 2020-01-31 |
| 發明（設計）人： | 堅固山裕子;吉田嵩志 | 申請（專利權）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11335 北京匯信合知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李宏悅 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電去除 自偏壓 基底 射頻電極 等離子體 等離子體加工 基底加工 控制器 電荷量 頂表面 加長 測量 施加 | ||
1.一種基底加工方法，包括：
使放置在基座上的基底經受等離子體加工；
向面對所述基座的射頻電極只施加預定的靜電去除時間的功率以產生等離子體，由此減少所述基底的電荷量；
在使基座銷從所述基座的頂表面突出并且提起所述基底的同時測量所述射頻電極的自偏壓；以及
通過控制器，當所述自偏壓具有正值時縮短所述靜電去除時間，并且當所述自偏壓具有負值時加長所述靜電去除時間。
2.根據權利要求1所述的基底加工方法，其中，所述靜電去除時間包括：
第一時間，以所述第一時間向所述射頻電極施加功率以產生等離子體；
第二時間，在經過所述第一時間后，以預定的第一速率以所述第二時間降低施加至所述射頻電極的功率；以及
第三時間，在經過所述第二時間后，以預定的第二速率以所述第三時間將施加至所述射頻電極的所述功率降低到零。
3.根據權利要求2所述的基底加工方法，其中，所述控制器當所述自偏壓具有正值時縮短所述第二時間，并且當所述自偏壓具有負值時加長所述第二時間。
4.根據權利要求2或3所述的基底加工方法，其中，所述第二時間比所述第三時間長。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的基底加工方法，其中，所述控制器根據加工所述基底的方法改變所述靜電去除時間。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的基底加工方法，其中，隨著所述等離子體加工的等離子體功率越大，所述控制器使所述靜電去除時間越長。
7.一種基底加工方法，包括：
重復多次：使放置在基座上的第一基底經受等離子體加工，向面對所述基座的射頻電極只施加預定的靜電去除時間的功率以減少所述第一基底的電荷量，以及當使基座銷從所述基座的頂表面突出并且提起所述第一基底時測量所述射頻電極的自偏壓，同時改變所述靜電去除時間；
使放置在所述基座上的第二基底經受與所述第一基底的所述等離子體加工相同的等離子體加工；以及
向所述射頻電極只施加提供通過多次測量所述自偏壓而獲得的所述自偏壓中的具有最小絕對值的自偏壓的靜電去除時間的功率，由此減少所述第二基底的電荷量。
8.根據權利要求7所述的基底加工方法，其中，所述第一基底為仿真基底，而所述第二基底為產品基底。
9.根據權利要求7或8所述的基底加工方法，其中，所述靜電去除時間包括：
第一時間，以所述第一時間向所述射頻電極施加功率以產生等離子體；
第二時間，在經過所述第一時間后，以預定的第一速率以所述第二時間降低施加至所述射頻電極的功率；以及
第三時間，在經過所述第二時間后，以預定的第二速率以所述第三時間將施加至所述射頻電極的所述功率降低到零。
10.根據權利要求9所述的基底加工方法，其中，所述第二時間比所述第三時間長。
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