[發明專利]低觸發電壓、高ESD電路在審
| 申請號： | 201910532899.4 | 申請日： | 2019-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN110349950A | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 曹小強;李大剛;岑遠軍;彭蕭天 | 申請（專利權）人： | 成都華微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 劉勛 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜區 觸發結構 觸發電壓 連接端 觸發 模擬集成電路 電路連接 工藝移植 接地端 控制端 電阻 串聯 | ||
【權利要求書】：
1.低觸發電壓、高ESD電路，其特征在于，包括在PAD端到接地端之間順次串聯的第一P+摻雜區、第一N+摻雜區、第二P+摻雜區、第二N+摻雜區，第一N+摻雜區與觸發結構連接端形成電路連接，觸發結構連接端通過第一電阻與PAD端連接。
2.如權利要求1所述的低觸發電壓、高ESD電路，其特征在于，所述第二N+摻雜區通過順次串聯的第三P+摻雜區、第三N+摻雜區、第四P+摻雜區連接到接地端，第四P+摻雜區和接地端直接連接，第三N+摻雜區連接第二觸發結構連接端，第二觸發結構連接端通過第二電阻和接地端連接。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
