[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910531975.X
• 申請日: 2015-08-19
• 公開（公告）號: CN110265518B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張三碩;郭雨澈;金景海;鄭廷桓;白龍賢
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包含：

n型半導(dǎo)體層；

p型半導(dǎo)體層；

有源層，其設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體層與所述p型半導(dǎo)體層之間；

電子阻擋層，其設(shè)置在所述p型半導(dǎo)體層與所述有源層之間；以及

超晶格層，設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體層與所述有源層之間，

其中：

所述p型半導(dǎo)體層包括空穴注入層、p型接觸層和設(shè)置在所述空穴注入層與所述p型接觸層之間的空穴傳輸層，

所述空穴傳輸層包括具有彼此不同的摻雜劑濃度的未摻雜層和中間摻雜層，

所述未摻雜層包括在其中空穴濃度隨著與所述空穴注入層或者所述p型接觸層的距離的增加而降低的區(qū)域以及在其中所述空穴濃度隨著與所述中間摻雜層的距離的減小而增加的區(qū)域，

所述空穴注入層具有比所述未摻雜層高的摻雜劑濃度，并且所述p型接觸層具有比所述空穴注入層高的摻雜劑濃度，以及

所述空穴傳輸層具有比所述空穴注入層和所述p型接觸層的總厚度大的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述空穴注入層具有1E20/cm³至5E20/cm³的摻雜劑濃度，所述p型接觸層具有4E20/cm³或者更高的摻雜劑濃度，并且所述中間摻雜層具有1E18/cm³至1E20/cm³的摻雜劑濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述中間摻雜層具有10nm至20nm的厚度，并且所述未摻雜層具有15nm至30nm的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述空穴注入層鄰接所述電子阻擋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述空穴濃度隨著與所述空穴注入層或者所述p型接觸層的距離的增加而降低的所述區(qū)域包括在其中所述空穴濃度線性降低的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述中間摻雜層設(shè)置為與所述空穴傳輸層的區(qū)域至少部分地疊置，其中，所述空穴傳輸層的所述空穴濃度為所述p型接觸層的所述空穴濃度的62％至87％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述空穴濃度隨著與所述中間摻雜層的距離的減小而增加的所述區(qū)域包括在其中所述空穴濃度線性增加的區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述中間摻雜層具有比所述未摻雜層的電阻更高的電阻。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸層包括多個未摻雜層和設(shè)置在所述多個未摻雜層之間的至少一個中間摻雜層。