[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201910531975.X
• 申請日: 2015-08-19
• 公開（公告）號: CN110265518B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發明（設計）人: 張三碩;郭雨澈;金景海;鄭廷桓;白龍賢
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

公開了一種發光器件。發光器件包括n型半導體層、p型半導體層、設置在n型半導體層與p型半導體層之間的有源層以及設置在p型半導體層與有源層之間的電子阻擋層。p型半導體層包括空穴注入層、p型接觸層以及設置在空穴注入層與p型接觸層之間的空穴傳輸層。空穴傳輸層包括具有彼此不同的摻雜劑濃度的未摻雜層和中間摻雜層。未摻雜層包括在其中空穴濃度隨著與空穴注入層或者p型接觸層的距離的增加而降低的區域，并且空穴傳輸層具有比空穴注入層和p型接觸層的總厚度大的厚度。

本申請是申請日為2015年08月19日、申請號為201510511540.0、題為“發光器件及其制造方法”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明的示范性實施例涉及一種包括p型半導體層的氮化物半導體發光器件及其制造方法。

背景技術

通常，采用氮化物半導體的發光器件包括n型半導體層、有源層以及p型半導體層。在有源層中，電子和空穴被復合以發光。有源層中的電子和空穴的復合率直接影響發光器件的發光效率。為了改良電子和空穴在有源層中的復合率，有必要防止電子的溢出。為此目的，所以采用p型AlGaN層的電子阻擋層。

發明內容

本發明的示范性實施例提供一種發光器件及其制造方法，所述發光器件通過提高進入有源層的空穴注入效率來提高內部量子效率。

本發明的示范性實施例提供一種包括p型半導體層的發光器件及其制造方法，所述p型半導體層具有能夠提高空穴遷移率的結構。

根據本發明的一方面，一種發光器件包括：n型半導體層、p型半導體層、設置于n型半導體層與p型半導體層之間的有源層以及設置于p型半導體層與有源層之間的電子阻擋層，其中p型半導體層包括空穴注入層、p型接觸層以及設置于空穴注入層與p型接觸層之間的空穴傳輸層。空穴傳輸層包括多個未摻雜層和設置于未摻雜層之間的至少一個中間摻雜層。至少一個未摻雜層包括在其中空穴濃度隨著與空穴注入層或p型接觸層的距離增加而降低的區域，并且中間摻雜層被設置為至少部分地與空穴傳輸層的區域重疊，在所述區域中，空穴傳輸層的空穴濃度為p型接觸層的空穴濃度的62％至87％。

空穴注入層可具有介于1E20/cm³到5E20/cm³之間的摻雜劑濃度，p型接觸層可具有4E20/cm³或者更高的摻雜劑濃度，并且中間摻雜層可具有介于1E18/cm³到1E20/cm³之間的摻雜劑濃度。

空穴傳輸層可具有比空穴注入層和p型接觸層的總厚度大的厚度。

中間摻雜層可具有介于10nm到20nm之間的厚度，并且未摻雜層可具有介于15nm到30nm之間的厚度。

空穴注入層可以鄰接電子阻擋層。

空穴濃度隨著與空穴注入層或p型接觸層的距離增加而降低的區域可以包括空穴濃度線性降低的區域。

至少一個未摻雜層可進一步包括在其中空穴濃度隨著與中間摻雜層的距離降低而增加的區域。

空穴濃度隨著與中間摻雜層的距離降低而增加的區域可以包括空穴濃度線性增加的區域。

中間摻雜層可具有比未摻雜層高的電阻。