[發(fā)明專利]透明陰極結(jié)構(gòu)、有機(jī)發(fā)光二極管、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910531572.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110112325B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉曉云;黃清雨;閆華杰;焦志強(qiáng);康亮亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 陰極 結(jié)構(gòu) 有機(jī) 發(fā)光二極管 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種透明陰極結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
第一電介質(zhì)層,包括相互混合的第一電介質(zhì)材料和第一摻雜材料;其中,所述第一摻雜材料為鎂;所述第一電介質(zhì)材料為氧化鉬;所述第一摻雜材料的質(zhì)量比為50%;所述第一電介質(zhì)層的厚度為5nm;
透明金屬層,設(shè)于所述第一電介質(zhì)層的一表面;所述透明金屬層的材料為摻雜有1%質(zhì)量的鋁、銅或者鎳的銀;所述透明金屬層的厚度為8nm;
第二電介質(zhì)層,設(shè)于所述透明金屬層遠(yuǎn)離所述第一電介質(zhì)層的表面;所述第二電介質(zhì)層的材料為氧化鉬且厚度為30nm。
2.一種有機(jī)發(fā)光二極管,其特征在于,包括:
權(quán)利要求1所述的透明陰極結(jié)構(gòu);
有機(jī)發(fā)光層,設(shè)于所述透明陰極結(jié)構(gòu)的第一電介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述透明金屬層的表面;
陽極層,設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述透明陰極結(jié)構(gòu)的表面。
3.一種陣列基板,其特征在于,包括權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管。
4.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求3所述的陣列基板。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
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- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
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