[發明專利]透明陰極結構、有機發光二極管、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201910531572.5 | 申請日: | 2019-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN110112325B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 劉曉云;黃清雨;閆華杰;焦志強;康亮亮 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 陰極 結構 有機 發光二極管 陣列 顯示裝置 | ||
本公開提供了一種透明陰極結構、有機發光二極管、陣列基板和顯示裝置,屬于顯示技術領域。該透明陰極結構包括第一電介質層、透明金屬層和第二電介質層;其中,第一電介質層包括相互混合的第一電介質材料和第一摻雜材料;所述第一摻雜材料的功函數低于所述第一電介質材料的功函數;透明金屬層設于所述第一電介質層的一表面;第二電介質層設于所述透明金屬層遠離所述第一電介質層的表面。該透明陰極結構能夠提高有機發光二極管的性能。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種透明陰極結構、有機發光二極管、陣列基板和顯示裝置。
背景技術
電介質-金屬-電介質(DMD)結構的透明電極具有制備方便、成本低、電性能優等優點,可以被用作OLED(有機發光二極管)的透明電極。電介質層通常采用高折射率的材料,例如采用三氧化鉬或者氧化鎢等氧化物;然而,這些電介質材料向OLED注入電子困難,限制了OLED的性能。
所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于提供一種透明陰極結構、有機發光二極管、陣列基板和顯示裝置,提高有機發光二極管的性能。
為實現上述發明目的,本公開采用如下技術方案:
根據本公開的第一個方面,提供一種透明陰極結構,包括:
第一電介質層,包括相互混合的第一電介質材料和第一摻雜材料;其中,所述第一摻雜材料的功函數低于所述第一電介質材料的功函數;
透明金屬層,設于所述第一電介質層的一表面;
第二電介質層,設于所述透明金屬層遠離所述第一電介質層的表面。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一電介質層的厚度為4~10nm。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一電介質材料為金屬氧化物。
在本公開的一種示例性實施例中,所述金屬氧化物包括氧化鉬或者氧化鎢中的至少一種。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一摻雜材料包括功函數低于4.0eV的金屬。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一摻雜材料包括鎂、鈣、鍶、鐿、鋇、鋰和釹中的至少一種。
在本公開的一種示例性實施例中,在第一電介質層中,所述第一摻雜材料的質量含量為20%~50%。
在本公開的一種示例性實施例中,所述透明金屬層的厚度為5~20nm。
在本公開的一種示例性實施例中,所述透明金屬層的厚度為6.5~8nm。
在本公開的一種示例性實施例中,所述透明金屬層包括相互混合的導電金屬和第二摻雜材料,其中,所述第二摻雜材料在所述透明金屬層中的質量比為0.5%~1.5%。
在本公開的一種示例性實施例中,所述導電金屬包括銀;所述第二摻雜材料包括鋁、銅和鎳中的至少一種。
根據本公開的第二個方面,提供一種有機發光二極管,包括:
上述的透明陰極結構;
有機發光層,設于所述透明陰極結構的第一電介質層遠離所述透明金屬層的表面;
陽極層,設于所述有機發光層遠離所述透明陰極結構的表面。
根據本公開的第三個方面,提供一種陣列基板,包括上述的有機發光二極管。
根據本公開的第四個方面,提供一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





