[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板和指紋識別顯示裝置

在審

• 申請號: 201910530136.6
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN110197834A
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 史曉琪;劉博智;陳國照
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G06K9/00
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板和多個指紋識別單元，所述指紋識別單元包括位于所述襯底基板一側的至少一個光電二極管，所述光電二極管包括第一電極、第一半導體層、第二半導體層和第二電極；

所述第一半導體層為多晶硅，所述第二半導體層為非晶硅；

所述第一電極與所述第一半導體層電連接；

所述第二半導體層位于所述第一半導體層遠離所述襯底基板的一側并與所述第一半導體層直接接觸，且所述第二半導體層與所述第一半導體層直接接觸的接觸面積為第一接觸面積；

所述第二電極位于所述第二半導體層遠離所述襯底基板的一側并與所述第二半導體層直接接觸，且所述第二電極與所述第二半導體層直接接觸的接觸面積為第二接觸面積；

所述第二接觸面積大于等于所述第一接觸面積。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極為透明電極。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的第一絕緣層，所述第二半導體層通過貫穿所述第一絕緣層的第一通孔與所述第一半導體層直接接觸。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一通孔在所述襯底基板上的正投影位于所述第二半導體層在所述襯底基板上的正投影內。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一通孔靠近所述襯底基板的一側在所述襯底基板上的正投影的面積小于所述第一通孔遠離所述襯底基板的一側在所述襯底基板上的正投影的面積。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述第二半導體層和所述第二電極之間的第一緩沖層，所述第二電極通過貫穿所述第一緩沖層的第二通孔與所述第二半導體層直接接觸。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二通孔靠近所述襯底基板的一側在所述襯底基板上的正投影位于所述第二半導體層在所述襯底基板上的正投影內。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第二通孔靠近所述襯底基板的一側在所述襯底基板上的正投影的面積小于所述第二半導體層在所述襯底基板上的正投影的面積。

9.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極和所述第二半導體層同層設置，所述第一電極通過貫穿所述第一緩沖層的第三通孔與所述第一半導體層電連接。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，在垂直于所述襯底基板所在平面的方向上，所述第一緩沖層的厚度大于等于50nm且小于等于70nm。

11.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板一側形成第一半導體層；

在所述第一半導體層遠離所述襯底基板的一側沉積第一絕緣層，圖案化所述第一絕緣層形成第一通孔和第三通孔；

在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成第二半導體層和第一電極，其中，所述第二半導體層通過所述第一通孔和所述第一半導體層直接接觸，所述第二半導體層與所述第一半導體層直接接觸的接觸面積為第一接觸面積，所述第一電極通過所述第三通孔和所述第一半導體層電連接；

在所述第二半導體層遠離所述襯底基板的一側沉積第一緩沖層，圖案化所述第一緩沖層形成第二通孔；

在所述第一緩沖層遠離所述襯底基板的一側形成第二電極，其中，所述第二電極通過所述第二通孔和所述第二半導體層直接接觸，所述第二電極與所述第二半導體層直接接觸的接觸面積為第二接觸面積，所述第二接觸面積大于等于所述第一接觸面積。

12.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第二電極為透明電極。