[發明專利]光學鄰近修正模型的校正方法

有效

• 申請號: 201910527584.0
• 申請日: 2019-06-18
• 公開（公告）號: CN112099309B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

一種光學鄰近修正模型的校正方法，包括：提供具有待測量圖形的原始版圖；確定待測量圖形的待測量位置；通過原始版圖獲得形成于物理晶圓上的物理晶圓圖形；獲取待測量位置對應在物理晶圓圖形上的關鍵尺寸為第一尺寸；執行檢測工藝，包括：采用OPC模型對原始版圖進行模擬，獲得模擬圖形；根據待測量位置在模擬圖形上選定第一待測量區域，并采集第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據；根據多個關鍵尺寸的量測數據和第一尺寸類型，獲取待測量位置對應在模擬圖形上的關鍵尺寸為第二尺寸；根據第二尺寸和第一尺寸，判斷誤差函數值的收斂性是否滿足光學鄰近修正的要求；當未滿足要求時，校正OPC模型，并返回執行檢測工藝的步驟。本發明提高OPC精準度。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種光學鄰近修正模型的校正方法。

背景技術

在集成電路制造工藝中，光刻技術是集成電路制造工藝發展的驅動力，也是其中最復雜的技術之一。相對于其他的單個制造技術來說，光刻技術的提高對集成電路的發展具有重要意義，光刻技術的工藝精確度直接影響到半導體產品的良率。

在光刻工藝開始之前，晶圓版圖會先通過特定的設備復制到掩膜版上，然后通過光刻設備產生特定波長的光(例如為248納米的紫外光)，將掩膜版上的圖形復制到生產所用的晶圓上。

但是，隨著集成電路設計的高速發展，半導體器件的尺寸不斷縮小，在將圖形轉移到晶圓上的過程中會發生失真現象，在晶圓上所形成的圖形相較于掩模版圖形會出現變形和偏差。出現失真現象的原因主要是光學鄰近效應(opticalproximity effect，OPE)。

為了解決上述問題，通常采用光學鄰近修正(optical proximity correction，OPC)方法，對光刻過程中的誤差進行修正，OPC方法即為對掩膜版進行光刻前預處理，進行預先修正，使得修正補償的量正好能夠補償曝光系統造成的光學鄰近效應，因此，采用由OPC后的版圖數據所制成的掩膜版，經過光刻后，在晶圓上能夠得到預期的目標圖形。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提供一種光學鄰近修正模型的校正方法，提高光學鄰近修正的精準度。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種光學鄰近修正模型的校正方法，包括：提供具有待測量圖形的原始版圖；確定所述待測量圖形的待測量位置；通過所述原始版圖獲得形成于物理晶圓上的物理晶圓圖形；獲取所述待測量位置對應在所述物理晶圓圖形上的關鍵尺寸作為第一尺寸；執行檢測工藝，所述檢測工藝的步驟包括：采用光學鄰近修正模型對所述原始版圖中的圖形進行模擬，獲得模擬圖形；根據所述待測量位置，在所述模擬圖形上選定第一待測量區域，并采集所述模擬圖形在所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據；根據所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據以及所述第一尺寸的類型，獲取所述待測量位置對應在所述模擬圖形上的關鍵尺寸作為第二尺寸；根據所述第二尺寸和第一尺寸，判斷誤差函數值的收斂性是否滿足光學鄰近修正的要求；當誤差函數值的收斂性滿足光學鄰近修正的要求時，完成對光學鄰近修正模型的校正；當誤差函數值的收斂性未滿足光學鄰近修正的要求時，校正所述光學鄰近修正模型，并返回執行所述檢測工藝的步驟。

可選的，獲取所述待測量位置對應在所述物理晶圓圖形上的關鍵尺寸作為第一尺寸的步驟包括：根據所述待測量位置，在所述物理晶圓上選定第二待測量區域，并采集所述物理晶圓圖形在所述第二待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據；根據所述第二待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據以及關鍵尺寸類型，獲取所述第一尺寸。

可選的，所述第一尺寸的類型包括所述物理晶圓圖形的關鍵尺寸的最小值、關鍵尺寸的最大值或關鍵尺寸的平均值。