[發明專利]光學鄰近修正模型的校正方法

有效

• 申請號: 201910527584.0
• 申請日: 2019-06-18
• 公開（公告）號: CN112099309B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種光學鄰近修正模型的校正方法，其特征在于，包括：

提供具有待測量圖形的原始版圖；

確定所述待測量圖形的待測量位置；

通過所述原始版圖獲得形成于物理晶圓上的物理晶圓圖形；

獲取所述待測量位置對應在所述物理晶圓圖形上的關鍵尺寸作為第一尺寸；

執行檢測工藝，所述檢測工藝的步驟包括：采用光學鄰近修正模型對所述原始版圖中的圖形進行模擬，獲得模擬圖形；根據所述待測量位置，在所述模擬圖形上選定第一待測量區域，并采集所述模擬圖形在所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據；根據所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據以及所述第一尺寸的類型，獲取所述待測量位置對應在所述模擬圖形上的關鍵尺寸作為第二尺寸；

根據所述第二尺寸和第一尺寸，判斷誤差函數值的收斂性是否滿足光學鄰近修正的要求；

當誤差函數值的收斂性滿足光學鄰近修正的要求時，完成對光學鄰近修正模型的校正；當誤差函數值的收斂性未滿足光學鄰近修正的要求時，校正所述光學鄰近修正模型，并返回執行所述檢測工藝的步驟。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，獲取所述待測量位置對應在所述物理晶圓圖形上的關鍵尺寸作為第一尺寸的步驟包括：根據所述待測量位置，在所述物理晶圓上選定第二待測量區域，并采集所述物理晶圓圖形在所述第二待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據；

根據所述第二待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據以及關鍵尺寸類型，獲取所述第一尺寸。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一尺寸的類型包括關鍵尺寸的最小值、關鍵尺寸的最大值或關鍵尺寸的平均值。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一尺寸的類型為所述物理晶圓圖形的關鍵尺寸的最小值，獲取所述待測量位置對應在所述模擬圖形上的關鍵尺寸作為第二尺寸的步驟包括：采集所述模擬圖形在所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據后，從所述量測數據中提取最小值作為所述第二尺寸；

或者，

所述第一尺寸的類型為所述物理晶圓圖形的關鍵尺寸的最大值，獲取所述待測量位置對應在所述模擬圖形上的關鍵尺寸作為第二尺寸的步驟包括：采集所述模擬圖形在所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據后，從所述量測數據中提取最大值作為所述第二尺寸；

或者，

所述第一尺寸的類型為所述物理晶圓圖形的關鍵尺寸的平均值，獲取所述待測量位置對應在所述模擬圖形上的關鍵尺寸作為第二尺寸的步驟包括：采集所述模擬圖形在所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據后，計算所述量測數據的平均值作為所述第二尺寸。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用公式(Ⅰ)作為所述誤差函數，

其中，所述w_i為關鍵尺寸的權重，所述CD_i,w為所述第一尺寸的值，所述CD_i,s為所述第二尺寸的值，N為取樣量。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一待測量區域的形狀為矩形。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述模擬圖形沿第一方向的尺寸為所述第二尺寸，與所述第一方向相垂直的方向為第二方向；

所述第一待測量區域沿所述第二方向的寬度至少為1納米。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一待測量區域沿所述第二方向的寬度為1納米至100納米。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采集所述模擬圖形在所述第一待測量區域中的多個關鍵尺寸的量測數據的步驟中，所述量測數據的數據量為2個至20個。