[發明專利]智能功率模塊的制作工裝及方法有效
| 申請號: | 201910525784.2 | 申請日: | 2019-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN110289230B | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 劉東子;馮宇翔 | 申請(專利權)人: | 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 晏波 |
| 地址: | 528311 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 智能 功率 模塊 制作 工裝 方法 | ||
本發明公開一種智能功率模塊的制作工裝及方法,該智能功率模塊包括:散熱層、絕緣基板及柔性覆銅層,散熱層在絕緣基板和柔性覆銅層的正投影位于絕緣基板和柔性覆銅層的邊緣內;該制作工裝包括:支撐結構,支撐位上設置有用于支撐散熱層的第一支撐部以及用于支撐絕緣基板的第二支撐部,第二支撐部環繞第一支撐部設置,第二支撐部與第一支持部之間的高度差等于散熱層的厚度;固定框架,包括框部及自框部向內延伸的多個第一導電條,多個第一導電條焊接于柔性覆銅層的安裝位上,以形成智能功率模塊的引腳。本發明解決了智能功率模塊制作的過程中,因為難以固定柔性安裝基板,柔性安裝基板過于柔軟而容易出現凹陷,從而出現變形或者皸裂的問題。
技術領域
本發明涉及電子電路技術領域,特別涉及一種智能功率模塊的制作工裝及方法。
背景技術
智能功率模塊(Intelligent Power Module,簡稱為IPM)是一種以IGBT((Insulated Gate Bipolar Transistor))為功率器件,以其高集成度、高可靠性等優勢贏得越來越大的市場。為了縮小智能功率模塊的體積,在采用較輕薄的基板來作為安裝基板時,由于在貼片、綁線、封裝等制作過程中,難以固定柔性安裝基板,容易出現柔性安裝基板出現凹陷,從而出現變形或者皸裂的問題。
發明內容
本發明的主要目的是提出一種智能功率模塊的制作工裝及方法,旨在解智能功率模塊制作的過程中,柔性安裝基板容易出現凹陷,而變形或者皸裂的問題。
為實現上述目的,本發明提出一種智能功率模塊的制作工裝,所述智能功率模塊包括:散熱層、絕緣基板及柔性覆銅層,所述柔性覆銅層和所述散熱層分設于所述絕緣基板的兩側表面;所述柔性覆銅層上具有多個引腳安裝位;所述散熱層在所述絕緣基板和所述柔性覆銅層的正投影位于所述絕緣基板和所述柔性覆銅層的邊緣內;其特征在于,所述智能功率模塊的制作工裝包括:
支撐結構,所述支撐結構具有支撐位,所述支撐位上設置有用于支撐所述散熱層的第一支撐部以及用于支撐所述絕緣基板的第二支撐部,所述第二支撐部環繞所述第一支撐部設置,所述第二支撐部與第一支持部之間的高度差等于所述散熱層的厚度;
固定框架,所述固定框架包括框部及自所述框部向內延伸的多個第一導電條,多個所述第一導電條焊接于所述柔性覆銅層的安裝位上,以形成智能功率模塊的引腳。
可選地,所述支撐結構具有多個所述支撐位,所述固定框架對應為多個,多個所述固定框架的位置與多個所述支撐位的位置一對一對應。
可選地,多個所述支撐位呈矩陣排列。
可選地,多個所述固定框架通過外框架連接于一體。
可選地,相鄰兩個所述固定框架之間相互連接。
可選地,所述固定框架與外框架之間通過連接條連接,和/或,兩相互連接的所述固定框架之間為通過連接條連接。
本發明還提出一種智能功率模塊的制作方法,所述智能功率模塊的制作方法包括如下步驟:
準備半成品智能功率模塊,所述半成品智能功率模塊包括:
散熱層、絕緣基板及柔性覆銅層,所述柔性覆銅層和散熱層分設于所述絕緣基板的兩側表面;所述柔性覆銅層上具有多個引腳安裝位;所述散熱層在所述絕緣基板和所述柔性覆銅層的正投影位于所述絕緣基板和所述柔性覆銅層的邊緣內;
準備支撐結構,所述支撐結構具有支撐位,所述支撐位上設置有用于支撐所述散熱層的第一支撐部以及用于支撐所述絕緣基板的第二支撐部,所述第二支撐部環繞所述第一支撐部設置,所述第二支撐部與第一支持部之間的高度差等于所述散熱層的厚度,將所述半成品智能功率模塊放置于所述支撐結構上;
準備固定框架,所述固定框架包括框部及自所述框部向內延伸的多個第一導電條,將多個所述第一導電條焊接于所述柔性覆銅層的安裝位上;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司,未經廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910525784.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:電子產品組件倉儲式層壓設備
- 下一篇:用于半導體制造設備的氣體管路控制裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





