[發明專利]一種頂發射OLED金屬陰極結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201910521580.1 | 申請日: | 2019-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN110112324A | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發明(設計)人: | 吳遠武;褚天舒 | 申請(專利權)人: | 湖畔光電科技(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京中高專利代理有限公司 32333 | 代理人: | 呂波 |
| 地址: | 213200 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬陰極 有機功能層 襯底玻璃 金屬陽極 頂發射 沉積 陰極 電子傳輸層 空穴傳輸層 空穴注入層 沉積金屬 發光效率 生產技術 發光層 有效地 蒸發源 制備 蒸發 占用 制造 幫助 | ||
本發明涉及OLED生產技術領域,特別是一種頂發射OLED金屬陰極結構,包括襯底玻璃,所述襯底玻璃上設置有金屬陽極,所述金屬陽極上依次沉積OLED有機功能層,所述OLED有機功能層自下而上分別為:空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層;所述OLED有機功能層上沉積金屬陰極。采用上述結構和方法后,本發明提供的金屬陰極可以有效地增強OLED器件中電子的注入,對提高器件的發光效率很有幫助。而且制備OLED器件的過程中,金屬陰極的材料只占用一個蒸發源,待蒸發速率穩定后即可開始沉積,因此也大大地降低了工藝的難度。
技術領域
本發明涉及OLED生產技術領域,特別是一種頂發射OLED金屬陰極結構及其制造方法。
背景技術
頂發射OLED器件中,半透明的金屬陰極是器件研制的關鍵因素。現有技術中,由于Ag具有非常優秀的導電性能,因此經常用作陰極。但是Ag的功函數較高(4.26 eV),不利于電子的注入,因此又常和低功函數的金屬,如Mg一起共蒸,形成合金陰極以提高電子的注入,但是效果依然有限。
中國發明專利CN 1467864A公開了一種利用金屬陰極濺射的有機發光器件結構,包括一層底物,一層在底物上由導電材料形成的陽極、一層在陽極層上構成的有電致發光材料的發射層、在該發射層上構成并包括酞箐或其衍生物的一層緩沖層,一層在該緩沖層上構成并包括堿金屬化合物或其熱解產物的電子注入摻雜劑源層;和一層在該緩沖層上構成的并被選來與該緩沖層一起作用以向該發射層注入電子的金屬或金屬合金濺射層。
發明內容
本發明需要解決的技術問題是提供一種可以有效增強OLED器件中電子的注入從而提高器件發光效率的頂發射OLED金屬陰極結構及其制造方法。
為解決上述技術問題,本發明的一種頂發射OLED金屬陰極結構,包括襯底玻璃,所述襯底玻璃上設置有金屬陽極,所述金屬陽極上依次沉積OLED有機功能層,所述OLED有機功能層自下而上分別為:空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層;所述OLED有機功能層上沉積金屬陰極。
優選的,所述金屬陰極為鋰:鐿:鎂:銀合金,其質量占比分別為Li:3%-5%、Yb:10%-15%、Mg:10%-20%、Ag:60%-77%。
優選的,所述鋰:鐿:鎂:銀質量占比為5%:10%:10%:75%。
優選的,所述金屬陰極的厚度為20nm。
本發明還公開了一種頂發射OLED金屬陰極結構制造方法,包括以下步驟,
第一步,準備好已經圖案化的金屬陽極及玻璃襯底;
第二步,在金屬陽極之上,依次沉積OLED有機功能層,自下至上分別為:空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層;
第三步,在上述OLED有機功能層上,沉積Li:Yb:Mg:Ag合金作為金屬陰極,合金置于一個蒸發源的坩堝中。
優選的,整個制備過程在真空腔體環境下進行,初始真空度≤10-7 Torr。
優選的,所述步驟第三步中將質量比為Li、Yb、Mg、Ag=(3%-5%):(10%-15%):(10%-20%):(60%-77%)的Li顆粒、Yb顆粒、Mg顆粒、Ag顆粒放入100cc大小的坩堝中,坩堝的材質為氮化硼,上述金屬顆粒的純度要求≥99.99%;在真空度≤10-7 Torr的環境中,加熱坩堝,升溫條件為10℃/min,當溫度升至900℃時,保持2小時,隨即按5℃/min的條件將溫度降至室溫。
優選的,所述步驟第一步中金屬陽極的厚度為200nm,發光單元面積為3mm×3mm。
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