[發明專利]一種頂發射OLED金屬陰極結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201910521580.1
• 申請日: 2019-06-17
• 公開（公告）號: CN110112324A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 吳遠武;褚天舒
• 申請（專利權）人: 湖畔光電科技（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 南京中高專利代理有限公司 32333
• 代理人: 呂波

1.一種頂發射OLED金屬陰極結構，包括襯底玻璃，其特征在于：所述襯底玻璃上設置有金屬陽極，所述金屬陽極上依次沉積OLED有機功能層，所述OLED有機功能層自下而上分別為：空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層；所述OLED有機功能層上沉積金屬陰極。

2.按照權利要求1所述的一種頂發射OLED金屬陰極結構，其特征在于：所述金屬陰極為鋰：鐿：鎂：銀合金，其質量占比分別為Li：3%-5%、Yb：10%-15%、Mg：10%-20%、Ag：60%-77%。

3.按照權利要求2所述的一種頂發射OLED金屬陰極結構，其特征在于，所述鋰：鐿：鎂：銀質量占比為5%：10%：10%：75%。

4.按照權利要求3所述的一種頂發射OLED金屬陰極結構，其特征在于：所述金屬陰極的厚度為20nm。

5.一種頂發射OLED金屬陰極結構制造方法，其特征在于，包括以下步驟，

第一步，準備好已經圖案化的金屬陽極及玻璃襯底；

第二步，在金屬陽極之上，依次沉積OLED有機功能層，自下至上分別為：空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層；

第三步，在上述OLED有機功能層上，沉積Li:Yb:Mg:Ag合金作為金屬陰極，合金置于一個蒸發源的坩堝中。

6.按照權利5所述的一種頂發射OLED金屬陰極結構制造方法，其特征在于：整個制備過程在真空腔體環境下進行，初始真空度≤10^-7 Torr。

7.按照權利5所述的一種頂發射OLED金屬陰極結構制造方法，其特征在于：所述步驟第三步中將質量比為Li、Yb、Mg、Ag=(3%-5%):(10%-15%):(10%-20%):(60%-77%)的Li顆粒、Yb顆粒、Mg顆粒、Ag顆粒放入100cc大小的坩堝中，坩堝的材質為氮化硼，上述金屬顆粒的純度要求≥99.99%；在真空度≤10^-7 Torr的環境中，加熱坩堝，升溫條件為10℃/min，當溫度升至900℃時，保持2小時，隨即按5℃/min的條件將溫度降至室溫。

8.按照權利5所述的一種頂發射OLED金屬陰極結構制造方法，其特征在于：所述步驟第一步中金屬陽極的厚度為200nm，發光單元面積為3mm×3mm。