[發明專利]被加工物的加工方法有效
| 申請號: | 201910519907.1 | 申請日: | 2019-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN110634736B | 公開(公告)日: | 2023-08-04 |
| 發明(設計)人: | 成田義智 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 沈娥;龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 方法 | ||
提供被加工物的加工方法,即使對晶片(板狀工件)的外周進行修整,也能夠識別晶片的結晶方位。在本加工方法的外周緣去除步驟中,一邊使切削刀具在晶片(1)的半徑方向上擺動,一邊對正面(2a)的外周緣(7)進行切削,從而使正面(2a)具有橢圓形狀。此外,在該外周緣去除步驟中,按照正面(2a)的橢圓形狀的短邊(L2)沿著表示晶片(1)的結晶方位的凹口(9)的延伸方向的方式使切削刀具擺動。因此,正面(2a)的橢圓形狀與晶片(1)的結晶方位對應。然后,通過外周緣去除步驟后的磨削步驟,使晶片(1)的整體具有作為正面(2a)的形狀的橢圓形狀。因此,在晶片(1)中,根據其橢圓形狀,能夠判別晶片(1)的結晶方位。
技術領域
本發明涉及被加工物的加工方法。
背景技術
在晶片等板狀工件中,存在在外周形成有從正面到背面的倒角的工件。當將這樣的板狀工件薄化至一半的厚度以下時,會在外周形成所謂的鋒利邊緣,板狀工件有可能破損。為了防止這種情況,公知有在對板狀工件的外周進行修整而將倒角去除之后對板狀工件進行薄化的技術(例如,參照專利文獻1)。
另外,在板狀工件上有時形成有表示結晶方位的凹口。凹口例如被用作將板狀工件分割成器件時的標記(例如,參照專利文獻2)。凹口形狀例如是由作為行業標準規格的SEMI規格而確定的。對于形成有凹口的板狀工件,也對其外周進行修整而將倒角去除,然后進行薄化。
專利文獻1:日本特開2000-173961號公報
專利文獻2:日本特開2004-198264號公報
但是,在實施了修整后的板狀工件中,在薄化后,凹口變小或者消失。因此,在后面的工序中,難以準確地檢測板狀工件的結晶方位。
發明內容
本發明是鑒于這樣的問題而完成的,其目的在于,即使對板狀工件的外周進行修整,也能夠識別板狀工件的結晶方位。
本發明的被加工物的加工方法是具有在由呈格子狀形成的多條分割預定線劃分的區域中形成有器件的正面的被加工物的加工方法,其特征在于,該被加工物的加工方法具有如下的步驟:保持步驟,利用保持工作臺對該被加工物的背面進行保持而使該被加工物的該正面露出;外周緣去除步驟,在實施了該保持步驟之后,使切削刀具切入至該被加工物的該正面的外周緣,使該保持工作臺旋轉并且使該切削刀具在該被加工物的半徑方向上擺動,從而一邊使切削寬度變化一邊對該被加工物的該外周緣進行切削;正面保護步驟,在實施了該外周緣去除步驟之后,利用正面保護部件來覆蓋該被加工物的該正面的形成有該器件的區域;以及磨削步驟,在實施了該正面保護步驟之后,利用磨削磨具對該被加工物的該背面進行磨削而將該被加工物薄化至規定的厚度,在該外周緣去除步驟中,一邊使切削寬度變化一邊對該被加工物的該正面的該外周緣進行切削,將該外周緣去除以使該被加工物的該正面具有與該被加工物的結晶方位對應的橢圓形狀,從而能夠通過橢圓形狀來識別該被加工物的結晶方位。
在本發明的加工方法中,在外周緣去除步驟中,一邊使切削寬度變化一邊對被加工物的正面的外周緣進行切削。由此,從被加工物的正面將外周緣去除,并且被加工物的正面具有與被加工物的結晶方位對應的橢圓形狀。然后,通過外周緣去除步驟后的磨削步驟,被加工物的背面的外周緣也被磨削(去除),因此被加工物的整體具有作為正面形狀的橢圓形狀。因此,在磨削步驟之后,即使形成于被加工物的外周緣的凹口消失,也能夠根據被加工物的橢圓形狀(例如,其長軸或短軸的延伸方向)來判別被加工物的結晶方位。
附圖說明
圖1是示出作為本實施方式的被加工物的一例的晶片的立體圖。
圖2是圖1所示的晶片的剖視圖。
圖3是示出被保持工作臺保持并且正在實施修整的晶片的立體圖。
圖4是示出外周緣去除步驟后的晶片的正面的立體圖。
圖5是示出正面被正面保護帶覆蓋的晶片的剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





