[發(fā)明專利]被加工物的加工方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910519907.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110634736B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 成田義智 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 沈娥;龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加工 方法 | ||
1.一種被加工物的加工方法,該被加工物具有在由呈格子狀形成的多條分割預(yù)定線劃分的區(qū)域中形成有器件的正面,該被加工物的加工方法的特征在于,具有如下的步驟:
保持步驟,利用保持工作臺(tái)對(duì)該被加工物的背面進(jìn)行保持而使該被加工物的該正面露出;
外周緣去除步驟,在實(shí)施了該保持步驟之后,使切削刀具切入至該被加工物的該正面的外周緣,使該保持工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)并且使該切削刀具在該被加工物的半徑方向上擺動(dòng),從而一邊使切削寬度變化一邊對(duì)該被加工物的該外周緣進(jìn)行切削;
正面保護(hù)步驟,在實(shí)施了該外周緣去除步驟之后,利用正面保護(hù)部件來(lái)覆蓋該被加工物的該正面的形成有該器件的區(qū)域;以及
磨削步驟,在實(shí)施了該正面保護(hù)步驟之后,利用磨削磨具對(duì)該被加工物的該背面進(jìn)行磨削而將該被加工物薄化至規(guī)定的厚度,
在該外周緣去除步驟中,一邊使切削寬度變化一邊對(duì)該被加工物的該正面的該外周緣進(jìn)行切削,將該外周緣去除以使該被加工物的該正面具有與該被加工物的結(jié)晶方位對(duì)應(yīng)的橢圓形狀,從而能夠通過(guò)橢圓形狀來(lái)識(shí)別該被加工物的結(jié)晶方位。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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