[發(fā)明專利]發(fā)光器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910517962.7 | 申請日: | 2019-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN110911538A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭度奎;崔成宇;尹喆洙 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 | ||
1.一種發(fā)光器件,包括:
用于發(fā)出藍(lán)光的發(fā)光元件;以及
熒光膜,其包括單晶熒光材料或多晶熒光材料,
其中,所述熒光膜吸收所述藍(lán)光,并發(fā)出具有與所述藍(lán)光的波長不同的波長的光,
其中,所述熒光膜面向所述發(fā)光元件的表面,并且所述熒光膜中包括的單晶熒光材料或多晶熒光材料由以下的化學(xué)式表示:
Y3-x-yLxMyAl5O12
其中,L是Gd或者Lu,并且M是Ce、Tb、Eu、Yb、Pr、Tm或Sm,0≤x≤2.999,并且0.001≤y≤0.1。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述熒光膜發(fā)出具有在500nm到600nm的波長處的峰值強(qiáng)度的光。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述熒光膜:
僅包括單晶熒光材料,并且
具有平板形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述熒光膜具有單晶熒光體粉末被分散在玻璃或硅膜中的結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其中,所述單晶熒光體粉末具有長方體形、立方體形或球形。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其中,所述單晶熒光體粉末的尺寸具有小于2.0的四分位偏差。
7.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其中,所述單晶熒光體粉末中的每一個(gè)顆粒具有20μm到500μm的范圍中的尺寸。
8.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其中,所述熒光膜還包括在所述玻璃或者硅膜中的用于發(fā)出紅光的紅色熒光體粉末。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,還包括:粘合劑層,其位于所述發(fā)光元件和所述熒光膜之間,所述粘合劑層將所述熒光膜粘合于所述發(fā)光元件的上表面。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,還包括:反射板,
其中:
所述熒光膜被附著在所述發(fā)光元件的上表面上,并且
所述反射板被附著在所述發(fā)光元件的側(cè)壁和所述熒光膜的側(cè)壁上。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述熒光膜被附著在所述發(fā)光元件的上表面和側(cè)壁上。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,還包括:印刷電路板,
其中:
所述發(fā)光元件位于所述印刷電路板上,
所述熒光膜與所述發(fā)光元件的上表面接觸,
所述印刷電路板包括在其上的透鏡,所述透鏡覆蓋所述發(fā)光元件和所述熒光膜,并且
所述透鏡的表面具有半球形。
13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,還包括:密封劑,其覆蓋所述發(fā)光元件,其中,所述熒光膜直接附著在所述密封劑的上表面上。
14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,還包括:電路板,
其中:
所述發(fā)光元件位于所述電路板上,
所述電路板包括在其上的透鏡,所述透鏡覆蓋所述發(fā)光元件,
所述透鏡具有半球形,并且
所述熒光膜位于所述透鏡的上表面上。
15.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述熒光膜的上表面包括突出圖案。
16.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,還包括:抗反射涂層,其位于所述熒光膜的上表面上。
17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件,其中,所述抗反射涂層包括具有在所述熒光膜的折射率和空氣的折射率之間的折射率的材料。
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