[發(fā)明專利]發(fā)光器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910517962.7 | 申請(qǐng)日： | 2019-06-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110911538A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭度奎;崔成宇;尹喆洙 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/50 | 分類號(hào)： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 趙南;張青 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 | ||
一種發(fā)光器件，包括：用于發(fā)出藍(lán)光的發(fā)光元件；以及包括單晶熒光材料和多晶熒光材料的熒光膜，其中，所述熒光膜吸收所述藍(lán)光，并發(fā)出具有與所述藍(lán)光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光，其中，所述熒光膜面向所述發(fā)光元件的表面，并且所述熒光膜中包括的熒光材料由以下的化學(xué)式(1)表示：Y3?x?yLxMyAl5O12其中，L是Gd或者Lu，并且M是Ce、Tb、Eu、Yb、Pr、Tm或Sm，0≤x≤2.999，并且0.001≤y≤0.1。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
于2018年9月18日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的標(biāo)題為
“發(fā)光器件”的韓國(guó)專利申請(qǐng)NO.10-2018-0111831通過(guò)引用全部合并與此。
技術(shù)領(lǐng)域
各實(shí)施例涉及發(fā)光器件。
背景技術(shù)
發(fā)光器件可以包括藍(lán)色發(fā)光元件和黃色熒光體結(jié)構(gòu)。從藍(lán)色發(fā)光元件中發(fā)出的藍(lán)光和來(lái)自黃色熒光體結(jié)構(gòu)的黃光(受藍(lán)光激發(fā))可以被組合以發(fā)出白光。
發(fā)明內(nèi)容
可以通過(guò)提供發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)各實(shí)施例，所述發(fā)光器件包括：用于發(fā)出藍(lán)光的發(fā)光元件；以及熒光膜，其包括單晶熒光材料或多晶熒光材料，其中，所述熒光膜吸收所述藍(lán)光，并發(fā)出具有與所述藍(lán)光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光，其中，所述熒光膜面向所述發(fā)光元件的表面，并且所述熒光膜中包括的熒光材料由以下的化學(xué)式(1)表示：
Y3-x-yLxMyAl5O12
其中，L是Gd或者Lu，并且M是Ce、Tb、Eu、Yb、Pr、Tm或Sm，0≤x≤2.999，并且0.001≤y≤0.1。
可以通過(guò)提供發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)各實(shí)施例，所述發(fā)光器件包括：用于發(fā)出藍(lán)光的發(fā)光元件；以及單晶熒光材料，所述單晶熒光材料包括密封劑和單晶熒光體粉末，其中，所述單晶熒光材料吸收所述藍(lán)光，并且發(fā)出具有與所述藍(lán)光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光，并且其中，所述單晶熒光材料面向所述發(fā)光元件的表面，所述單晶熒光體粉末的顆粒具有小于2.0的四分位偏差(QD)，并且其中，所述單晶熒光體粉末的顆粒由以下化學(xué)式(1)表示：
Y3-x-yLxMyAl5O12
其中，L是Gd或者Lu，并且M是Ce、Tb、Eu、Yb、Pr、Tm或Sm，0≤x≤2.999，并且0.001≤y≤0.1。
可以通過(guò)提供發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)各實(shí)施例，所述發(fā)光器件包括：用于發(fā)出藍(lán)光的發(fā)光元件；熒光膜，其包括單晶熒光材料或多晶熒光材料，所述熒光膜接觸所述發(fā)光元件的上表面，其中，所述熒光膜吸收所述藍(lán)光并發(fā)出具有與所述藍(lán)光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光；以及反射板，其附著在所述發(fā)光元件的側(cè)壁和所述熒光膜的側(cè)壁上，其中，所述熒光膜中包括的單晶熒光材料或多晶熒光材料由以下的化學(xué)式(1)
表示：
Y3-x-yLxMyAl5O12
其中，L是Gd或者Lu，并且M是Ce、Tb、Eu、Yb、Pr、Tm或Sm，0≤x≤2.999，并且0.001≤y≤0.1。
附圖說(shuō)明
通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例，各特征對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員將變得明顯，在附圖中：
圖1示出了根據(jù)示例實(shí)施例的制造單晶熒光膜的方法的各個(gè)階段；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會(huì)社，未經(jīng)三星電子株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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