[發明專利]FOUP清洗裝置在審
| 申請號: | 201910515897.4 | 申請日: | 2019-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN110238143A | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 周至軍;高英哲;張文福;劉璞方 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | B08B9/093 | 分類號: | B08B9/093;B08B3/12;B08B9/08;B08B13/00;F26B21/00 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗裝置 清洗腔 容納腔 清洗液 清洗過程 噴嘴 半導體制造技術 容納 噴射氣體 清洗效率 驅動結構 人力成本 晶圓 排出 噴射 轉動 損傷 殘留 驅動 | ||
本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種FOUP清洗裝置。所述FOUP清洗裝置包括:清洗腔,用于容納FOUP,所述FOUP具有用于容納晶圓的容納腔;第一噴嘴,位于所述清洗腔內,用于向所述容納腔噴射清洗液;驅動結構,用于驅動所述FOUP在所述清洗腔內轉動,以排出所述容納腔內的所述清洗液;第二噴嘴,位于所述清洗腔內,用于向所述容納腔噴射氣體,以干燥殘留的所述清洗液。本發明提高了FOUP清洗效率,降低了FOUP在清洗過程中損傷的風險,也節省了清洗過程中的人力成本;而且,減少了FOUP清洗裝置整體的占地面積。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種FOUP清洗裝置。
背景技術
將IC形成在晶圓上,這必須經歷許多的工藝步驟,每個工藝步驟都需要在特定的晶圓處理腔室中進行,在很多情況下,這些晶圓處理腔室都需要保持在真空或是近乎真空的環境下,才能對晶圓進行正常的工藝處理。因此,在晶圓的處理工序中,將晶圓從一個處理腔室轉移至另一個處理腔室的過程中,需要大氣傳送模組(Atmosphere TransferModule,ATM)、氣鎖(Airlock)、真空傳送模組(Vacuum Transfer Module,VTM)、前端開啟式同一規格運輸腔或者前端開啟式通用腔(Front Opening Unified Pod,FOUP)等的協同作用實現。
在半導體制造過程中,FOUP作為晶圓臨時存儲、以及在各個操作機臺之間傳輸晶圓的工具,起到了極其重要的作用。將晶圓放置于FOUP的密閉腔體內,并保持腔體內環境的穩定與潔凈,可以有效避免晶圓與外界環境的直接接觸,在確保晶圓處理工藝穩定進行的同時,減少環境因素對晶圓的影響。
保持FOUP裝置的清潔,是避免晶圓污染的重要步驟。長時間使用后,FOUP裝置內部會殘留灰塵、金屬等污垢,因此,需要對FOUP裝置進行定期清潔。現有的FOUP裝置清洗系統由一個清洗劑槽、三個純水漂洗槽和一個干燥槽組成。這就使得整個FOUP裝置清洗系統的占地面積較大,對于寸土寸金的潔凈室來說,無疑是增加了半導體制造的成本。且在各個槽之間轉移FOUP裝置的操作費時費力,降低了FOUP裝置的清洗效率。另外,多次轉移也增大了FOUP裝置與槽壁碰撞的風險,易導致FOUP裝置的損傷。
因此,如何提高FOUP的清洗效率,同時減小FOUP清洗裝置的占地面積,是目前亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明提供一種FOUP清洗裝置,用于解決現有的FOUP清洗裝置清洗效率較低、占地面積較大的問題。
為了解決上述問題,本發明提供了一種FOUP清洗裝置,包括:
清洗腔,用于容納FOUP,所述FOUP具有用于容納晶圓的容納腔;
第一噴嘴,位于所述清洗腔內,用于向所述容納腔噴射清洗液;
驅動結構,用于驅動所述FOUP在所述清洗腔內轉動,以排出所述容納腔內的所述清洗液;
第二噴嘴,位于所述清洗腔內,用于向所述容納腔噴射氣體,以干燥殘留的所述清洗液。
優選的,所述清洗腔包括相對分布的頂壁和底壁;所述FOUP清洗裝置還包括:
升降柱,一端與所述頂壁連接、另一端安裝有超聲波發生器,且所述升降柱能夠沿豎直方向進行升降運動。
優選的,所述FOUP包括相對分布的前部、后部以及位于所述前部和后部之間且相對分布的頂部和底部,所述前部具有用于晶圓進出的開口;
所述清洗腔還包括位于所述頂壁與所述底壁之間、且相對分布的第一側壁和第二側壁;
所述第二側壁表面具有一支架,用于與所述FOUP的底部連接;
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