[發(fā)明專利]半導體裝置封裝及其制造方法

有效

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• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN111968963B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設計）人: 楊朋;涂順財;黃敏龍
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/498;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體裝置封裝，其包含：

基板；

第一半導體裝置，其安置于該基板上并電連接至該基板；

第一中介層，其設置于該第一半導體裝置上；

第二半導體裝置，其設置于該第一中介層上且電連接至該第一中介層；及

金屬導線，其電連接該第一半導體裝置及該第二半導體裝置，

其中該第一半導體裝置及該第二半導體裝置用于該半導體裝置封裝的堆棧內存，該第一半導體裝置及該第二半導體裝置通過該第一中介層依據傳輸速度分拆堆棧。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中該第一中介層夾在該第一半導體裝置及該第二半導體裝置之間并直接接觸該第一半導體裝置及該第二半導體裝置。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其進一步包含設置于該基板與該第一半導體裝置之間的第三半導體裝置，該第三半導體裝置電連接該基板及該第一半導體裝置，其中該第三半導體裝置是特殊應用集成電路，用于與該基板進行快速信號傳輸,其中該第二半導體裝置通過該第一中介層與該金屬導線與該基板進行非屬高速信號傳輸。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，更包含第三半導體裝置設置在該第二半導體裝置上方，且為背對背堆棧內存結構，其中該第三半導體裝置經由該金屬導線電連接至該基板。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置封裝，其中該第一半導體裝置與該第三半導體裝置之間的電連接路徑較短于該第二半導體裝置與該第三半導體裝置之間的電連接路徑，使該第一半導體裝置系用于該半導體裝置封裝的主要運算，而該第二半導體裝置是用于該半導體裝置封裝的圖式、音效、色彩或鏈接框架的附設應用。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其包含:

第二中介層設置于該第二半導體裝置上方，該第二中介層的寬度小于該第一中介層；以及

第四半導體裝置設置于該第二中介層上方，其中該第四半導體裝置通過該第二中介層、該第一中介層以及該基板而電連接該第二半導體裝置。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其進一步包含:

設置于該第一半導體裝置上的第二中介層，其中該第一中介層與該第二中介層系并列設置；及

設置于該第二中介層上且電連接至該第二中介層的一第三半導體裝置，該第三半導體裝置與該第二半導體裝置可進行電通信。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置封裝，其中該第二中介層包含若干導電端子，該第二中介層的該若干導電端子及該金屬導線是作為散熱路徑。

9.一種用于制造一半導體裝置封裝的方法，其包含：

提供基板及第一半導體裝置，其中該第一半導體裝置包含特殊應用集成電路(ASIC)及設置于該特殊應用集成電路(ASIC)上方的第一堆棧內存裝置；

提供第一中介層及第二堆棧內存裝置，該第二堆棧內存裝置系設置于該第一中介層上；

將該第一中介層安置于該第一半導體裝置上，使得該第一堆棧內存裝置及該第二堆棧內存裝置通過該第一中介層依據傳輸速度分拆堆棧；

提供第一金屬導線以連接該第一半導體裝置及該第一中介層；及

使該第二堆棧內存裝置通過該第一中介層與該第一金屬導線電連接該特殊應用集成電路(ASIC)。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含：

將第三堆棧內存裝置安置于該二堆棧內存裝置上；及

提供第二金屬導線以連接該基板及該第三堆棧內存裝置。

11.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含：

提供第二中介層及第三堆棧內存裝置，該第三堆棧內存裝置設置于該第二中介層上；

將該第二中介層安置于該二堆棧內存裝置上；及

提供第三金屬導線以連接該第一中介層及該第二中介層。

12.根據權利要求9所述的方法，其中該第一中介層的上表面與該第二堆棧內存裝置的主動面以混合接合(hybrid bond)方式電連通。