[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910511593.0
• 申請(qǐng)日: 2019-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN111739942A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭志昌;朱馥鈺;柳瑞興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/808;H01L21/336;H01L21/337
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

在一些實(shí)施例中，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)周界劃定出所述半導(dǎo)體襯底的裝置區(qū)。柵極設(shè)置在所述裝置區(qū)之上，其中所述柵極的外周界設(shè)置在所述隔離結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)周界內(nèi)。第一源極/漏極區(qū)設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的第一側(cè)上。第二源極/漏極區(qū)設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上。硅化物阻擋結(jié)構(gòu)局部地覆蓋所述柵極、局部地覆蓋所述第一源極/漏極區(qū)且局部地覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)，其中所述硅化物阻擋結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁設(shè)置在所述柵極的第一相對(duì)側(cè)壁之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置是利用半導(dǎo)體材料的電子屬性來影響電場(chǎng)或其相關(guān)場(chǎng)的電子組件。廣泛使用的一種半導(dǎo)體裝置類型是場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor，F(xiàn)ET)。FET包括一對(duì)源極/漏極區(qū)、選擇性導(dǎo)電溝道及柵電極。FET是可用于開關(guān)、放大器及存儲(chǔ)器等的通用裝置。FET的實(shí)例包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)及結(jié)柵極場(chǎng)效晶體管(junction gate field-effecttransistor，JFET)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置，包括隔離結(jié)構(gòu)、柵極、第一源極/漏極區(qū)、第二源極/漏極區(qū)以及硅化物阻擋結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)周界劃定出所述半導(dǎo)體襯底的裝置區(qū)。柵極設(shè)置在所述裝置區(qū)之上，其中所述柵極的外周界設(shè)置在所述隔離結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)周界內(nèi)。第一源極/漏極區(qū)設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的第一側(cè)上。第二源極/漏極區(qū)設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上。硅化物阻擋結(jié)構(gòu)局部地覆蓋所述柵極、局部地覆蓋所述第一源極/漏極區(qū)且局部地覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)，其中所述硅化物阻擋結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁設(shè)置在所述柵極的第一相對(duì)側(cè)壁之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置，包括：隔離結(jié)構(gòu)、第一源極/漏極區(qū)、第二源極/漏極區(qū)、柵極、第一硅化物阻擋結(jié)構(gòu)以及第二硅化物阻擋結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)周界界定所述半導(dǎo)體襯底的裝置區(qū)的多個(gè)側(cè)。第一源極/漏極區(qū)及第二源極/漏極區(qū)設(shè)置在所述裝置區(qū)中且在第一側(cè)向方向上間隔開。柵極設(shè)置在所述裝置區(qū)之上及所述第一源極/漏極區(qū)與所述第二源極/漏極區(qū)之間，其中所述柵極的外周界設(shè)置在所述隔離結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)周界內(nèi)。第一硅化物阻擋結(jié)構(gòu)覆蓋所述柵極的第一部分、所述第一源極/漏極區(qū)的第一部分及所述隔離結(jié)構(gòu)的第一部分。第二硅化物阻擋結(jié)構(gòu)覆蓋所述柵極的第二部分、所述第一源極/漏極區(qū)的第二部分及所述隔離結(jié)構(gòu)的第二部分，其中所述第二硅化物阻擋結(jié)構(gòu)在和所述第一側(cè)向方向垂直的第二側(cè)向方向上與所述第一硅化物阻擋結(jié)構(gòu)間隔開。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：在半導(dǎo)體襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)周界劃定出所述半導(dǎo)體襯底的裝置區(qū)；在所述裝置區(qū)之上及所述隔離結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)周界內(nèi)形成柵極；在所述裝置區(qū)中及所述柵極的第一相對(duì)側(cè)上形成第一源極/漏極區(qū)及第二源極/漏極區(qū)，其中所述柵極的所述第一相對(duì)側(cè)在第一側(cè)向方向上間隔開；形成第一硅化物阻擋結(jié)構(gòu)，所述第一硅化物阻擋結(jié)構(gòu)局部地覆蓋所述第一源極/漏極區(qū)、局部地覆蓋所述柵極且局部地覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)；形成第二硅化物阻擋結(jié)構(gòu)，所述第二硅化物阻擋結(jié)構(gòu)在和所述第一側(cè)向方向垂直的第二側(cè)向方向上與所述第一硅化物阻擋結(jié)構(gòu)間隔開，其中所述第二硅化物阻擋結(jié)構(gòu)局部地覆蓋所述第一源極/漏極區(qū)、局部地覆蓋所述柵極且局部地覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)；以及執(zhí)行硅化物工藝，以在所述第一源極/漏極區(qū)上形成第一硅化物層，其中所述第一硅化物層設(shè)置在所述第一硅化物阻擋結(jié)構(gòu)與所述第二硅化物阻擋結(jié)構(gòu)之間。

附圖說明

結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說明，會(huì)最好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)注意，根據(jù)本行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征并非按比例繪制。事實(shí)上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。