[發明專利]半導體裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 201910511593.0
• 申請日: 2019-06-13
• 公開（公告）號: CN111739942A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 鄭志昌;朱馥鈺;柳瑞興
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/808;H01L21/336;H01L21/337
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

隔離結構，設置在半導體襯底中，其中所述隔離結構的內周界劃定出所述半導體襯底的裝置區；

柵極，設置在所述裝置區之上，其中所述柵極的外周界設置在所述隔離結構的所述內周界內；

第一源極/漏極區，設置在所述裝置區中及所述柵極的第一側上；

第二源極/漏極區，設置在所述裝置區中及所述柵極的與所述第一側相對的第二側上；以及

硅化物阻擋結構，局部地覆蓋所述柵極、局部地覆蓋所述第一源極/漏極區且局部地覆蓋所述隔離結構，其中所述硅化物阻擋結構的第一側壁設置在所述柵極的第一相對側壁之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述硅化物阻擋結構接觸所述柵極的上表面、所述第一源極/漏極區的上表面及所述隔離結構的上表面。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述柵極的所述第一側與所述柵極的所述第二側在第一側向方向上間隔開；并且

所述柵極的所述第一相對側壁在第二側向方向上間隔開，所述第二側向方向與所述第一側向方向垂直。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述硅化物阻擋結構的第二側壁設置在所述隔離結構的所述內周界之外，且其中所述硅化物阻擋結構的所述第二側壁與所述第一側壁相對。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述硅化物阻擋結構的第三側壁設置在所述柵極的第二相對側壁之間，且其中所述柵極的所述第二相對側壁在所述第一側向方向上間隔開。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述硅化物阻擋結構從所述硅化物阻擋結構的第三側壁連續地延伸到所述硅化物阻擋結構的第四側壁，所述第四側壁與所述第三側壁相對，其中所述第三側壁在所述第一側向方向上與所述第四側壁間隔開，且所述第三側壁與所述第四側壁兩者均設置在所述隔離結構的所述內周界之外。

7.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

隔離結構，設置在半導體襯底中，其中所述隔離結構的內周界界定所述半導體襯底的裝置區的多個側；

第一源極/漏極區及第二源極/漏極區，設置在所述裝置區中且在第一側向方向上間隔開；

柵極，設置在所述裝置區之上及所述第一源極/漏極區與所述第二源極/漏極區之間，其中所述柵極的外周界設置在所述隔離結構的所述內周界內；

第一硅化物阻擋結構，覆蓋所述柵極的第一部分、所述第一源極/漏極區的第一部分及所述隔離結構的第一部分；以及

第二硅化物阻擋結構，覆蓋所述柵極的第二部分、所述第一源極/漏極區的第二部分及所述隔離結構的第二部分，其中所述第二硅化物阻擋結構在和所述第一側向方向垂直的第二側向方向上與所述第一硅化物阻擋結構間隔開。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，進一步包括：

第一導電觸點，電耦合到所述第一源極/漏極區，其中所述第一導電觸點設置在所述第一硅化物阻擋結構與所述第二硅化物阻擋結構之間及所述柵極與所述隔離結構之間。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，進一步包括：

第一拾取區及第二拾取區，在所述裝置區中設置在所述第一源極/漏極區與所述第二源極/漏極區之間，其中：

所述第一拾取區與所述第二拾取區在所述第二側向方向上間隔開且設置在所述柵極的相對側上；

所述第一拾取區包括與所述第一源極/漏極區不同的摻雜類型；并且

所述第一硅化物阻擋結構設置在所述第一拾取區與所述第一導電觸點之間。

10.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導體襯底中形成隔離結構，其中所述隔離結構的內周界劃定出所述半導體襯底的裝置區；

在所述裝置區之上及所述隔離結構的所述內周界內形成柵極；

在所述裝置區中及所述柵極的第一相對側上形成第一源極/漏極區及第二源極/漏極區，其中所述柵極的所述第一相對側在第一側向方向上間隔開；

形成第一硅化物阻擋結構，所述第一硅化物阻擋結構局部地覆蓋所述第一源極/漏極區、局部地覆蓋所述柵極且局部地覆蓋所述隔離結構；

形成第二硅化物阻擋結構，所述第二硅化物阻擋結構在和所述第一側向方向垂直的第二側向方向上與所述第一硅化物阻擋結構間隔開，其中所述第二硅化物阻擋結構局部地覆蓋所述第一源極/漏極區、局部地覆蓋所述柵極且局部地覆蓋所述隔離結構；以及

執行硅化物工藝，以在所述第一源極/漏極區上形成第一硅化物層，其中所述第一硅化物層設置在所述第一硅化物阻擋結構與所述第二硅化物阻擋結構之間。