[發明專利]半導體結構及制備方法

在審

• 申請號: 201910511416.2
• 申請日: 2019-06-13
• 公開（公告）號: CN112086399A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 王通;劉瑋
• 申請（專利權）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底；

在所述襯底中形成開口于所述襯底表面的通孔；

所述通孔中形成第一金屬層，所述第一金屬填滿所述通孔；

在所述襯底及所述第一金屬層上形成保護層，所述保護層覆蓋位于所述通孔頂部的所述第一金屬層與所述襯底的接觸區域；

在所述襯底、所述保護層及所述第一金屬層上形成第二金屬層。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：所述第一金屬層包括銅金屬層；所述第二金屬層包括鋁金屬層。

3.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：所述保護層包括二氧化硅層、氮氧化硅層、氮化鉭層或鉭層中的一種或多種的組合。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：所述襯底包括已形成有半導體器件的硅襯底，所述通孔包括硅通孔。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：所述第一金屬層與所述襯底之間還形成有第一阻擋層；所述第二金屬層與所述襯底、所述保護層及所述第一金屬層之間還形成有第二阻擋層。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于：形成所述保護層的過程包括以下步驟：

在所述襯底及所述第一金屬層上沉積保護材料層；

對所述保護材料層進行光刻和刻蝕工藝，形成覆蓋位于所述通孔頂部的所述第一金屬層與所述襯底的接觸區域的所述保護層。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

通孔，所述通孔形成于所述襯底中且開口于所述襯底表面；

第一金屬層，位于所述通孔中并填滿所述通孔；

保護層，所述保護層位于所述襯底及所述第一金屬層上，并覆蓋位于所述通孔頂部的所述第一金屬層與所述襯底的接觸區域；

第二金屬層，所述第二金屬層位于所述襯底、所述保護層及所述第一金屬層上。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述第一金屬層包括銅金屬層；所述第二金屬層包括鋁金屬層。

9.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述保護層包括二氧化硅層、氮氧化硅層、氮化鉭層或鉭層中的一種或多種的組合。

10.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述襯底包括已形成有半導體器件的硅襯底，所述通孔包括硅通孔。

11.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述第一金屬層與所述襯底之間還形成有第一阻擋層；所述第二金屬層與所述襯底、所述保護層及所述第一金屬層之間還形成有第二阻擋層。