[發明專利]一種像素界定層、制作方法和顯示面板有效
| 申請號: | 201910509611.1 | 申請日: | 2019-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN110164948B | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發明(設計)人: | 侯文軍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生輝 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 界定 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種像素界定層,其特征在于,包括設置在基板上的第一像素界定層和位于所述第一像素界定層遠離所述基板一側的第二像素界定區,其中,
所述第二像素界定區靠近所述基板一側的表面與所述第一像素界定層遠離所述基板一側的表面存在環狀的非重疊區,并且所述第二像素界定區靠近所述基板一側的表面在所述基板上的正投影覆蓋所述第一像素界定層遠離所述基板一側的表面在所述基板上的正投影;
所述第二像素界定區包括第二像素界定層和靠近所述第一像素界定層一側的環狀的紫外光吸收層,所述紫外光吸收層在所述基板上的正投影覆蓋所述非重疊區在所述基板上的正投影,所述第一像素界定層遠離所述基板一側的表面在所述基板上的正投影覆蓋所述第二像素界定層靠近所述基板一側的表面在所述基板上的正投影。
2.根據權利要求1所述的像素界定層,其特征在于,
所述第一像素界定層在垂直于所述基板的方向上的尺寸為0.2-1μm;
所述第二像素界定層在垂直于所述基板的方向上的尺寸為0.5-3μm;
所述紫外光吸收層在平行于所述基板的方向上的尺寸為1-5μm。
3.根據權利要求1所述的像素界定層,其特征在于,所述紫外光吸收層的材料為水楊酸酯類、苯酮類、苯并三唑類、取代丙烯腈類、三嗪類和受阻胺類中的一種。
4.根據權利要求1所述的像素界定層,其特征在于,所述第一像素界定層和/或所述第二像素界定層的材料為聚酰亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚酰亞胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯中的一種。
5.根據權利要求1所述的像素界定層,其特征在于,所述第一像素界定層和所述第二像素界定層的材料相同。
6.一種像素界定層的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成第一材料層;
在所述第一材料層上形成環狀的紫外光吸收層;
在所述紫外光吸收層和第一材料層上形成第二材料層;
對所述第一材料層和第二材料層進行曝光顯影形成像素界定層,使得所述像素界定層包括設置在基板上的由所述第一材料層形成的第一像素界定層、以及位于所述第一像素界定層遠離所述基板一側的由所述紫外光吸收層和第二材料層形成的第二像素界定區,其中,所述第二材料層形成第二像素界定層,所述第二像素界定區靠近所述基板一側的表面與所述第一像素界定層遠離所述基板一側的表面存在環狀的非重疊區,并且所述第二像素界定區靠近所述基板一側的表面在所述基板上的正投影覆蓋所述第一像素界定層遠離所述基板一側的表面在所述基板上的正投影,所述紫外光吸收層在所述基板上的正投影覆蓋所述非重疊區在所述基板上的正投影,所述第一像素界定層遠離所述基板一側的表面在所述基板上的正投影覆蓋所述第二像素界定層靠近所述基板一側的表面在所述基板上的正投影。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,
所述第一像素界定層在垂直于所述基板的方向上的尺寸為0.2-1μm;
所述第二像素界定層在垂直于所述基板的方向上的尺寸為0.5-3μm;
所述紫外光吸收層在平行于所述基板的方向上的尺寸為1-5μm。
8.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,在所述在基板上形成第一材料層之后,在所述在第一材料層上形成環狀的紫外光吸收層之前,所述制作方法還包括:
對所述第一材料層進行前烘處理。
9.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述前烘處理的條件包括:溫度大于等于80°且小于等于120°,時間大于等于10秒且小于等于300秒。
10.一種有機發光二極管顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1-5中任一項所述的像素界定層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





