[發(fā)明專利]具有高靜電防護(hù)能力的二極管及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910509233.7
• 申請(qǐng)日: 2019-06-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112086501A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王黎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 彩優(yōu)微電子(昆山)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種具有高靜電防護(hù)能力的二極管，其特征在于，包含：

具有一第一導(dǎo)電類(lèi)型的一硅基底層；

多個(gè)第一溝槽與多個(gè)第二溝槽，形成于該硅基底層中；

多個(gè)淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，STI)結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于所述多個(gè)第一溝槽中以填滿所述多個(gè)第一溝槽；以及

具有一第二導(dǎo)電類(lèi)型的一多晶硅層，共形地形成于所述多個(gè)第二溝槽的一表面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管，其特征在于，其中該硅基底層還包含具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型的一高摻雜區(qū)，其中該高摻雜區(qū)是夾設(shè)于兩相鄰的所述多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管，其特征在于，其中所述多個(gè)第一溝槽是環(huán)繞所述多個(gè)第二溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管，其特征在于，其中所述多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用以隔離具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型的該高摻雜區(qū)與具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型的該多晶硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管，其特征在于，其中所述多個(gè)第二溝槽于該硅基底層的表面上呈矩陣排列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管，其特征在于，其中所述多個(gè)第二溝槽于該硅基底層的表面上呈環(huán)形且共心地排列。

7.一種具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，包含：

蝕刻具有一第一導(dǎo)電類(lèi)型的一硅基底層，以形成多個(gè)第一溝槽與多個(gè)第二溝槽于具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型的該硅基底層中；

以一介電材料填充所述多個(gè)第一溝槽，以于所述多個(gè)第一溝槽中分別形成多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；以及

沉積一多晶硅材料于所述多個(gè)第二溝槽的一表面上，以于所述多個(gè)第二溝槽的該表面上共形地形成一多晶硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，其中該多晶硅材料為具有一第二導(dǎo)電類(lèi)型的該多晶硅材料，以使得該多晶硅層成為具有該第二導(dǎo)電類(lèi)型的該多晶硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，還包含：

對(duì)該多晶硅層進(jìn)行一離子布植(Ion Implantation)處理，來(lái)對(duì)該多晶硅層進(jìn)行摻雜，以使得該多晶硅層成為具有一第二導(dǎo)電類(lèi)型的該多晶硅層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，還包含：

對(duì)該硅基底層進(jìn)行一離子布植處理，以于兩相鄰的所述多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間形成具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型的一高摻雜區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，其中所述多個(gè)第一溝槽是環(huán)繞所述多個(gè)第二溝槽。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，其中所述多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用以隔離具有該第一導(dǎo)電類(lèi)型的該高摻雜區(qū)與該多晶硅層。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，其中所述多個(gè)第二溝槽于該硅基底層的表面上呈矩陣排列。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有高靜電防護(hù)能力的二極管的形成方法，其特征在于，其中所述多個(gè)第二溝槽于該硅基底層的表面上呈環(huán)形且共心地排列。