[發明專利]陣列基板、陣列基板的制作方法和顯示面板

有效

• 申請號: 201910508314.5
• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN110308598B
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 楊春輝
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;滁州惠科光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

本申請公開一種陣列基板、陣列基板的制作方法和顯示面板，其中，陣列基板包括柵極金屬層和源漏極金屬層，所述色阻層包括多個色阻，每一所述色阻位于相鄰兩所述掃描線和相鄰兩所述數據線所限定的區域內，并延伸至覆蓋相鄰的部分所述掃描線；所述色阻的同一側凸出設置的隔墊塊，所述隔墊塊位于鄰接該色阻的一所述數據線和一所述掃描線的交錯區域，多個所述色阻的另一側凹陷設置避讓位，所述避讓位對相鄰色阻的所述隔墊塊進行避讓。本申請技術方案旨在降低數據線上和掃描線上的寄生電容，減小數據線和掃描線的負載，提高像素的充電率，進而提升產品的顯示對比度，提升產品的畫質品位。

技術領域

本申請涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板、陣列基板的制作方法和顯示面板。

背景技術

目前，VA(Vertical Alignment，垂直對齊)顯示模式的像素結構，分為TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶體管)側的像素結構和CF(Color Filter，彩膜濾光片)側的像素結構兩部分。TFT側的像素結構主要實現TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystaldisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)的電學功能，是決定像素電容效應、配向延遲效應、灰階電壓寫入特性及保持特性的主要因素；CF側的像素結構主要實現TFT-LCD的光學功能，是決定TFT-LCD的對比度和色域度的主要因素。

但是，在現有的VA顯示模式的像素結構中，數據線上和掃描線上會產生寄生電容，而寄生電容的存在會加大數據線與掃描線的負載，減小像素的充電率，從而使產品的顯示對比度下降，影響產品的畫質品位。

上述內容僅用于輔助理解本申請的技術方案，并不代表承認上述內容是現有技術。

申請內容

本申請的主要目的是提供一種陣列基板，旨在降低數據線上和掃描線上的寄生電容，減小數據線和掃描線的負載，提高像素的充電率，進而提升產品的顯示對比度，提升產品的畫質品位。

為實現上述目的，本申請提出的陣列基板，包括柵極金屬層和設于所述柵極金屬層上方的源漏極金屬層，所述柵極金屬層包括并列設置的多條掃描線，所述源漏極金屬層包括并列設置的多條數據線，每一所述掃描線與每一所述數據線交錯設置，所述陣列基板還包括色阻層，所述色阻層包括多個色阻，每一所述色阻位于相鄰兩所述掃描線和相鄰兩所述數據線所限定的區域內，并延伸至覆蓋相鄰的部分所述掃描線；

所述色阻的同一側凸出設置的隔墊塊，所述隔墊塊位于鄰接該色阻的一所述數據線和一所述掃描線的交錯區域，多個所述色阻的另一側凹陷設置避讓位，所述避讓位對相鄰色阻的所述隔墊塊進行避讓。

可選地，所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設于所述柵極金屬層和所述色阻層之間；

或，所述柵極絕緣層設于所述色阻層和所述源漏極金屬層之間。

可選地，所述陣列基板還包括有源層，當所述色阻位于所述有源層上方時，所述色阻開設有讓位口，所述有源層由所述讓位口顯露，以使所述源漏極金屬層通過所述讓位口與所述有源層接觸。

可選地，所述陣列基板還包括黑色矩陣層，所述黑色矩陣層設于所述柵極金屬層與所述源漏極金屬層之間，所述黑色矩陣層部分位于所述掃描線與所述數據線的交錯區域內。

可選地，所述黑色矩陣層設于所述色阻層的上方，所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設于所述柵極金屬層和所述色阻層之間；

或，所述柵極絕緣層設于所述色阻層和所述黑色矩陣層之間；

或，所述柵極絕緣層設于所述黑色矩陣層和所述源漏極金屬層之間。

可選地，所述色阻層設于所述黑色矩陣層的上方，所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設于所述柵極金屬層和所述黑色矩陣層之間；