[發(fā)明專利]陣列基板的制備方法及陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910508213.8
• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN110400832A
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發(fā)明（設計）人: 夏玉明;卓恩宗
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;滁州惠科光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

本發(fā)明公開了一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟：在玻璃基板上沉積第一金屬層，作為陣列基板的柵極；在所述柵極上沉積所述陣列基板的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上沉積金屬硫化物層，作為所述陣列基板的有源層；在所述有源層上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬進行涂覆蝕刻，以形成所述陣列基板的金屬源極和金屬漏極。在所述金屬源極和所述金屬漏極上沉積絕緣保護層。本發(fā)明還公開了一種陣列基板。達成了顯示面板的亮度及PPI的效果。

技術領域

本發(fā)明涉及電器領域，尤其涉及陣列基板的制備方法及陣列基板。

背景技術

陣列基板的制備是TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)生產開發(fā)過程中的關鍵工序，在制備陣列基板時，需要在玻璃基板上沉積導電層和功能薄膜圖形，以實現(xiàn)對液晶的電學驅動。

目前，TFT顯示面板通常使用α-Si(Thin Film Transistor，非晶硅)作為陣列基板有源層的電子傳輸通道，但是由于α-Si的開關所占的像素面積較大，這樣導致顯示面板的顯示亮度和PPI(Pixels Per Inch，每英寸擁有的像素數(shù)量)較低的缺點。

發(fā)明內容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種陣列基板的制備方法及陣列基板，旨在達成提高顯示面板的顯示亮度及PPI的效果。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括以下步驟：

在玻璃基板上沉積第一金屬層，作為陣列基板的柵極；

在所述柵極上沉積所述陣列基板的柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積金屬硫化物層，作為所述陣列基板的有源層；

在所述有源層上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬進行涂覆蝕刻，以形成所述陣列基板的金屬源極和金屬漏極。

在所述金屬源極和所述金屬漏極上沉積絕緣保護層。

可選地，所述在所述柵極上沉積所述陣列基板的柵絕緣層的步驟包括：

S1、向原子層沉積反應腔打入第一前驅體；

S2、在5秒～30秒后，以惰性氣體吹掃所述反應腔3秒～30秒；

S3、向所述原子層沉積反應腔打入第二前驅體；

S4、在3秒～30秒后，以惰性氣體吹掃所述反應腔5秒～50秒；

將所述步驟S1至步驟S4重復執(zhí)行200次～1000次，以在所述柵極上沉積所述柵絕緣層。

可選地，所述柵絕緣層為氮化硅層；所述第一前驅體為正硅酸酯、正硅酸甲酯、三氨基硅或二氨基硅；所述第二前驅體為NH₃、N₂或N₂H₄。

可選地，所述柵絕緣層的沉積溫度為80℃～200℃，沉積壓強為0.01Torr～5Torr。

可選地，所述通過原子層沉積法在所述柵絕緣層上沉積金屬硫化物層的步驟包括：

S10、向原子層沉積反應腔打入第三前驅體；

S20、在2秒～20秒后，以惰性氣體吹掃所述反應腔3秒～30秒；

S30、向所述原子層沉積反應腔打入第四前驅體；

S40、在2秒～20秒后，以惰性氣體吹掃所述反應腔3秒～30秒；

將所述步驟S10至步驟S40重復執(zhí)行300次～2000，以在所述柵絕緣層上沉積所述金屬硫化物層，作為所述陣列基板的有源層。