[發(fā)明專利]陣列基板的制備方法及陣列基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910508213.8 | 申請日： | 2019-06-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110400832A | 公開（公告）日： | 2019-11-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 夏玉明;卓恩宗 | 申請（專利權(quán)）人： | 北海惠科光電技術(shù)有限公司;滁州惠科光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人： | 胡海國 |
| 地址： | 536000 廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列基板 沉積 金屬漏極 金屬源極 柵絕緣層 源層 制備 蝕刻 第二金屬層 第一金屬層 絕緣保護(hù)層 玻璃基板 沉積金屬 硫化物層 顯示面板 涂覆 金屬 | ||
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法包括以下步驟：
在玻璃基板上沉積第一金屬層，作為陣列基板的柵極；
在所述柵極上沉積所述陣列基板的柵絕緣層；
在所述柵絕緣層上沉積金屬硫化物層，作為所述陣列基板的有源層；
在所述有源層上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬進(jìn)行涂覆蝕刻，以形成所述陣列基板的金屬源極和金屬漏極。
在所述金屬源極和所述金屬漏極上沉積絕緣保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述柵極上沉積所述陣列基板的柵絕緣層的步驟包括：
S1、向原子層沉積反應(yīng)腔打入第一前驅(qū)體；
S2、在5秒～30秒后，以惰性氣體吹掃所述反應(yīng)腔3秒～30秒；
S3、向所述原子層沉積反應(yīng)腔打入第二前驅(qū)體；
S4、在3秒～30秒后，以惰性氣體吹掃所述反應(yīng)腔5秒～50秒；
將所述步驟S1至步驟S4重復(fù)執(zhí)行200次～1000次，以在所述柵極上沉積所述柵絕緣層。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述柵絕緣層為氮化硅層；所述第一前驅(qū)體為正硅酸酯、正硅酸甲酯、三氨基硅或二氨基硅；所述第二前驅(qū)體為NH3、N2或N2H4。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述柵絕緣層的沉積溫度為80℃～200℃，沉積壓強(qiáng)為0.01Torr～5Torr。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過原子層沉積法在所述柵絕緣層上沉積金屬硫化物層的步驟包括：
S10、向原子層沉積反應(yīng)腔打入第三前驅(qū)體；
S20、在2秒～20秒后，以惰性氣體吹掃所述反應(yīng)腔3秒～30秒；
S30、向所述原子層沉積反應(yīng)腔打入第四前驅(qū)體；
S40、在2秒～20秒后，以惰性氣體吹掃所述反應(yīng)腔3秒～30秒；
將所述步驟S10至步驟S40重復(fù)執(zhí)行300次～2000，以在所述柵絕緣層上沉積所述金屬硫化物層，作為所述陣列基板的有源層。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述有源層為金屬硫化物層；所述第三前驅(qū)體為六羰基鉬、四氯化鈦、鈦酸四丁酯、四異丙醇鈦、四氨基鈦、二氨基鈦或者鎢、鈮或錸的氯化物；所述第四前驅(qū)體為CH3SSCH3、H2S或SF6。
7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述金屬硫化物層的沉積溫度為100℃～150℃，沉積壓強(qiáng)為0.01Torr～5Torr。
8.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括依次疊設(shè)的玻璃襯底、作為柵極的第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層及鈍化層，其中，所述有源層的材質(zhì)為金屬硫化物，所述第二金屬層包括間隔設(shè)置的金屬源極和金屬漏極。
9.如權(quán)利要求8所述陣列基板，其特征在于，所述有源層、所述柵絕緣層及/或所述鈍化層通過原子層沉積法制備。
10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法包括以下步驟：
在玻璃基板上沉積第一金屬層，作為陣列基板的柵極；
在所述柵極上沉積所述陣列基板的柵絕緣層；
在所述柵絕緣層上沉積金屬硫化物層，作為所述陣列基板的有源層，其中，所述金屬硫化物層基于第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體通過原子沉積法制備，其沉積溫度為100℃～150℃，沉積壓強(qiáng)為0.01Torr～5Torr，所述第一前驅(qū)體為六羰基鉬、四氯化鈦、鈦酸四丁酯、四異丙醇鈦、四氨基鈦、二氨基鈦或者鎢、鈮或錸的氯化物，所述第二前驅(qū)體為CH3SSCH3、H2S或SF6；
在所述有源層上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬進(jìn)行涂覆蝕刻，以形成所述陣列基板的金屬源極和金屬漏極。
在所述金屬源極和所述金屬漏極上沉積絕緣保護(hù)層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
