[發(fā)明專利]一種功率器件及其制備方法

在審

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• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN112086410A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設計）人: 黃立湘;繆樺
• 申請（專利權）人: 深南電路股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：

第一絕緣層；

框架，設置于所述第一絕緣層的一側，且設有容置空間；

芯片，設置于所述容置空間內，且所述第一絕緣層設有連通所述芯片的第一過孔；

第二絕緣層，設置于所述框架遠離所述第一絕緣層的一側并填充于所述容置空間以封裝所述芯片，且所述第二絕緣層設有連通所述芯片的第二過孔；

兩個導電圖案層，分別設置于所述第一絕緣層遠離所述芯片的一側及所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側，并分別通過所述第一過孔及所述第二過孔與所述芯片電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件還包括：

兩個絕緣導熱層，分別設置于所述兩個導電圖案層遠離所述芯片的一側；

兩個散熱層，分別設置于所述兩個絕緣導熱層遠離所述芯片的一側；

兩個散熱器，分別設置于所述兩個散熱層遠離所述芯片的一側。

3.根據(jù)權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述導電圖案層的厚度范圍為100-600微米。

4.根據(jù)權利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述導電圖案層的厚度范圍為200-400微米。

5.根據(jù)權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述絕緣導熱層為絕緣導熱膠。

6.根據(jù)權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述絕緣導熱層包括層疊設置的第一連接層及絕緣基板，所述第一連接層用于與所述導電圖案層連接。

7.根據(jù)權利要求6所述的功率器件，其特征在于，所述絕緣導熱層還包括設置于所述絕緣基板遠離所述第一連接層一側的第二連接層，所述第二連接層用于與所述散熱層連接。

8.根據(jù)權利要求6所述的功率器件，其特征在于，所述絕緣基板為陶瓷基板。

9.根據(jù)權利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述第一連接層為金屬連接層，所述第一連接層焊接于所述導電圖案層。

10.根據(jù)權利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述第二連接層為金屬連接層，所述第二連接層焊接于所述散熱層。

11.根據(jù)權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述散熱器為散熱翅片或熱管。

12.根據(jù)權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述容置空間的數(shù)量為多個，所述芯片的數(shù)量為多個，所述多個芯片分別設置于所述多個容置空間內，且所述多個芯片通過所述導電圖案層電連接。

13.根據(jù)權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述芯片在所述芯片遠離所述第一絕緣層的方向上的高度小于所述容置空間的深度。

14.一種功率器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一框架并將所述框架設置于第一絕緣層的一側，其中，所述框架設有容置空間，所述容置空間內設有芯片；

在所述框架遠離所述第一絕緣層的一側及所述容置空間內形成第二絕緣層以封裝所述芯片；

分別形成貫穿所述第一絕緣層及所述第二絕緣層且連通所述芯片的第一過孔及第二過孔；

形成分別在所述第一絕緣層遠離所述芯片的一側及所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側的兩個導電圖案層，所述兩個導電圖案層分別通過所述第一過孔及所述第二過孔與所述芯片電連接。

15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

形成分別在所述兩個導電圖案層遠離所述芯片的一側的兩個絕緣導熱層；

在所述兩個絕緣導熱層遠離所述芯片的一側形成兩個散熱層；

在所述兩個散熱層遠離所述芯片的一側設置兩個散熱器。