[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910507430.5
• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN112086355B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上依次交替形成至少一層犧牲層和至少一層襯層；刻蝕所述襯層、所述犧牲層以及部分厚度的所述襯底，在所述襯底上形成有若干鰭部；

在所述襯底上形成橫跨所述鰭部的偽柵結(jié)構(gòu)；

去除所述偽柵結(jié)構(gòu)下的部分所述鰭部上的所述犧牲層，形成通道，一部分各所述鰭部由所述犧牲層和所述襯層組成；另一部分各所述鰭部由所述襯層和所述通道組成。

2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，若干所述鰭部至少包括第一鰭部和第二鰭部。

3.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一鰭部的寬度是所述第二鰭部的寬度的2～3倍，且去除所述偽柵結(jié)構(gòu)下的所述第一鰭部上的所述犧牲層，形成通道。

4.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層之后，還包括，將所述偽柵結(jié)構(gòu)替換成金屬柵極結(jié)構(gòu)，所述金屬柵極結(jié)構(gòu)填充滿所述通道。

5.如權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在所述襯底上形成橫跨所述鰭部的所述偽柵結(jié)構(gòu)之后，去除所述偽柵結(jié)構(gòu)下的部分所述鰭部上的所述犧牲層，形成通道之前，還包括，在所述偽柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成側(cè)墻，以所述側(cè)墻和所述偽柵結(jié)構(gòu)為掩膜，依次刻蝕部分所述鰭部上的所述襯層和所述犧牲層，直至暴露出所述襯底。

6.如權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，直至暴露出所述襯底之后，去除所述偽柵結(jié)構(gòu)下的部分所述鰭部上的所述犧牲層，形成通道之前，還包括，去除所述側(cè)墻下的所述鰭部上的所述犧牲層，在所述犧牲層的側(cè)壁上形成內(nèi)側(cè)墻。

7.如權(quán)利要求6所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，將所述偽柵結(jié)構(gòu)替換成金屬柵極結(jié)構(gòu)之后，還包括，形成外延層，所述外延層包括刻蝕后的所述鰭部上的所述襯層的兩端。

8.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料包括硅、鍺、硅鍺、砷化鎵中的一種或者多種。

9.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述襯層的材料包括硅、鍺、硅鍺、砷化鎵中的一種或者多種。

10.一種采用權(quán)利要求1至9任一項方法所形成的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

若干鰭部，分立位于所述襯底上，且一部分各所述鰭部由犧牲層和襯層組成；另一部分各所述鰭部由襯層和通道組成；

其中：犧牲層，位于所述襯底上以及所述襯層上，

襯層，位于所述犧牲層上或所述襯底上，

通道，位于另一部分各所述鰭部內(nèi)；

偽柵結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上，且橫跨所述鰭部。