[發明專利]體聲波諧振器在審
| 申請號: | 201910506590.8 | 申請日: | 2019-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN110784186A | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發明(設計)人: | 申蘭姬;李泰京;慶濟弘;孫晉淑;李華善;金成善 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H03H3/02 | 分類號: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司: | 11286 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉奕晴;金光軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電層 第一電極 第二電極 鈍化層 晶格常數 氮化鋁 基板 體聲波諧振器 聲波諧振器 摻雜材料 鋁合金層 種體 覆蓋 | ||
本公開提供一種體聲波諧振器,所述體聲波諧振器包括:基板;第一電極,設置在所述基板上;壓電層,所述壓電層的至少一部分設置在所述第一電極上;第二電極,設置在所述壓電層上;以及鈍化層,設置為覆蓋所述第一電極和所述第二電極。所述第一電極和所述第二電極中任意一者或者兩者包含鋁合金層。所述壓電層和所述鈍化層中的任意一者或兩者包含氮化鋁或者添加有摻雜材料的氮化鋁,并且所述壓電層和所述鈍化層中的任意一者或兩者具有小于1.58的c/a的比,其中,c為面外晶格常數,a為面內晶格常數。
本申請要求于2018年7月24日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0085889號韓國專利申請的優先權的權益,所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。
技術領域
本公開涉及一種體聲波諧振器。
背景技術
最近,對5G通信技術的興趣已經增加了能夠在候選頻帶中實現的技術的發展。
目前正在薄膜體聲波諧振器(FBAR)中使用的頻帶為大約6GHz或更小。在2GHz至3GHz的頻帶中工作的薄膜型體聲波諧振器的示例中,電極和壓電層的厚度相對大,從而可容易地制造薄膜型體聲波諧振器。在5GHz的頻帶中工作的薄膜型體聲波諧振器的示例中,預計存在顯著的工藝難度和性能劣化。
具體地,在5GHz的頻帶中工作的薄膜體聲波諧振器的示例中,由于通常應該實現超薄的電極,因此壓電層的厚度也可相對薄。為了實現這樣的超薄的電極,電極可利用諸如鋁(Al)的材料形成。
然而,當電極利用諸如鋁(Al)的軟材料形成時,由于可能發生構成電極的材料(顆粒)在壓電層和/或鈍化層的沉積期間的遷移,因此可能存在諸如空隙的表面缺陷可能出現在設置在低于壓電層和/或鈍化層的位置的位置的電極中的問題。此外,由于在電極中出現的表面缺陷,因此在壓電層和/或鈍化層中可能出現諸如空隙的表面缺陷。
發明內容
提供本發明內容以按照簡化的形式對所選擇的構思進行介紹,并在下面的具體實施方式中進一步描述所述構思。本發明內容既不意在限定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征,也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。
根據本公開的一方面,一種體聲波諧振器包括:基板;第一電極,設置在所述基板上;壓電層,所述壓電層的至少一部分設置在所述第一電極上;第二電極,設置在所述壓電層上;以及鈍化層,設置為覆蓋所述第一電極和所述第二電極,其中,所述第一電極和所述第二電極中任意一者或者兩者包含鋁合金層,所述壓電層和所述鈍化層中的任意一者或兩者包含氮化鋁或者添加有摻雜材料的氮化鋁,并且所述壓電層和所述鈍化層中的任意一者或兩者具有小于1.58的c/a的比,其中,c為面外晶格常數,a為面內晶格常數。
在所述體聲波諧振器中,所述鋁合金層可包含鈧(Sc)。
在所述體聲波諧振器中,所述鈧(Sc)的含量可以為0.1at%到5at%。
在所述體聲波諧振器中,所述壓電層和所述鈍化層的所述摻雜材料可包含從由鈧、鉺、釔、鑭、鈦、鋯、鉿、鉭和鈮或它們的組合組成的組中選擇的一者。
在所述體聲波諧振器中,所述壓電層和所述鈍化層的所述摻雜材料的含量可以為0.1at%到30at%。
在所述體聲波諧振器中,所述壓電層和所述鈍化層中的任意一者或兩者在堆疊時可受到張力。
在所述體聲波諧振器中,所述第一電極和所述第二電極可均包括含有鈧(Sc)的鋁合金層。
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